Characterization of Pt thin Fiims for Bottom Electrode of Ferroelectric Thin Films Using Metal-organic Chemical Vapor Deposition

강 유전체 박막을 위한 하부전극 MOCVD-pt 박막의 특성

  • Gwon, Ju-Hong (Dept. of Materials Engineering, Chungnam National University) ;
  • Yun, Sun-Gil (Dept. of Materials Engineering, Chungnam National University)
  • Published : 1996.12.01

Abstract

반도체 메모리 소자에 이용되는 하부전극의 Pt 박막을 MOCVD 증착방법을 이용하여 SiO2(100nm)/Si 기판위에 증착하였다. 반응개스로 O2개스를 사용하였을 경우에 순수한 Pt 박막을 얻었으며 증착층은(11)우선방향을 가지고 성장하였다. 증착온도가 45$0^{\circ}C$에서는 결정립 경계에 많은 hole이 형성되어 박막의 비저항을 증가시켰다. MOCVD에 의해 얻어진 Pt 박막은 전 증착온도범위에서 인장응력을 가지고 있었으며 40$0^{\circ}C$이상의 온도에서 hole이 형성되면서 응력은 감소하였다. MOCVD-Pt 위에 PEMOCVD로 증착한 강 유전체 SrBi2Ta2O9박막은 균일하고 치밀한 미세구조를 보였다.

Keywords

References

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