Measurement of a refractive index and thickness of silicon-dioxide thin film on LCD glass substrate using a variable angle ellipsometry

가변 입사각 타원 해석법을 사용한 유리기판위의 이산화규소박막의 굴절율 및 두께 측정

  • Pang, H. Y. (Department of Physics, Ajou University) ;
  • Kim, H. J. (Department of Physics, Ajou University) ;
  • Kim, S. Y. (Department of Physics, Ajou University) ;
  • Kim, B. I. (Materials Division, Institute of Ceramic Technology, NITQ)
  • 방현용 (아주대학교 물리학과) ;
  • 김현종 (아주대학교 물리학과) ;
  • 김상열 (아주대학교 물리학과) ;
  • 김병익 (국립기술품질원 요업기술원 원료과)
  • Published : 1997.02.01

Abstract

We measured refractive indices and thicknesses of SiO$_2$ thin films that have been plated on LCD glass substrate for the purpose of preventing the out-diffusion of sodium ions. The best experimental condition to determine refractive index and thickness of SiO$_2$ thin film by using ellipsometry is searched for, where ⅰ) the film thickness is increased uniformly by 20 $\AA$ from 0 $\AA$ to the period thickness while the angle of incidence is fixed and ⅱ) the angle of incidence is increased uniformly by 1$^{\circ}$ from 45$^{\circ}$ to 70$^{\circ}$ while the film thickness is fixed. We estimated the errors in determining the refractive index and thickness by comparing the measurement error of $\Delta$ and Ψ with the calculated one. The ellipsometric constants of SiO$_2$ thin film on LCD glass substrate are measured at several angle of incidence around the Brewster angle, which is the best angle if the experimental error of ellipsometer is not sensitive to the incident angle. Also the best fit refractive index and thickness of SiO$_2$ thin film to these ellipsometric constants measured at several angle of incidenc eas well as the best fit ones to the SE data are obtained using regressional analysis.

나트륨 이온의 용출을 방지하기 위해 LCD용 유리기판위에 입혀진 SiO$_{2}$ 박막의 굴절율 및 두께를 측정하였다. 입사각을 고정하고 박막의 두께를 0 .angs.부터 주기 두께까지 20.angs.씩 증가시키며 계산한 타원해석상수와 두께를 고정하고 입사각을 45.deg에서 70.deg까지 1.deg.씩 증가시키며 계산한 타원해석상수를 이용하여 LCD용 유리기판위에 증착된 SiO$_{2}$ 박막의 굴절율 및 두께 측정에서의 최적 측정 조건을 구하였다. 최적 측정 조건에서 굴절율 및 두께의 변화에 따른 타원해석상수 .DELTA.와 .PSI.의 변화를 계산하여 .DELTA.와 .PSI.측정 상의 오차와 비교하여 굴절율 및 두께 결정 시의 오차를 추정하였다. 최적 측정 조건인 Brewster 각 근방에서의 여러 입사각에서 LCD용 유리기판위에 입혀진 SiO$_{2}$ 박막의 타원해석상수 .DELTA.와 .PSI.를 측정하고, 이 측정값에 최적 맞춤하는 SiO$_{2}$ 박막의 굴절율 및 두께를 회귀분석방법을 사용하여 전산 계산하고 분광타원해석법에 의한 박막의 두께 및 굴절율과 비교하였다.

Keywords

References

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