Abstract
A Cr:LiSAF laser pumped by semiconductor lasers was constructed. The pumping laser was a high-power semiconductor laser (SDL 7432-H1) of wavelength 674 nm and maximum power of 500 mW. The laser crystal was a Cr:LiSAF of plano-Brewster shape with 3% Cr3+ion concentration and 3 mm in length. The plane facet of the crystal was coated to get the maximum transmittance of pupmping laser and maximu reflection over the 800 - 880 nm bandwidth. V-shaped resonator was used to compensate the astigmatism induced by the crystal. The output power of the Cr:LiSAF laser was 19.4 mW at the pumping power of 290 mW. The wavelength was tuned by a steep dive-angled birefringent filter from 840 nm to 880 nm and the characteristics of the filter were agreed well with a theory.
반도체 레이저에 의해 펌핑되는 Cr:LiSAF 레이저를 제작하였다. 펌핑 레이저는 고출력의 반도체 레이저 (SDL 7432-H1)였으며, 674 nm에서 최대출력은 500 mW이었다. 레이저 결정은 plano-Brewster모양의 Cr:LiSAF으로 Cr$^{3+}$ 의 농도가 3%, 길이가 3 mm, 결정의 평면인 면은 펌프레이저를 최대로 투과하고, 800-880 nm 대역에서 최대 반사율을 갖도록 코팅된 것을 사용하였다. 결정에 의한 비점수차를 보정하기 위해 V자형 공진기를 사용하였다. 펌핑 레이저의 출력이 290 nW일 때 Cr:LiSAF 레이저의 출력은 19.4 mW이었다. 광축의 각이 큰 복굴절 필터를 사용하여 레이저 파장을 840-880 nm파장 범위에서 가변할 수 있었으며, 복굴절 필터의 특성은 이론과 잘 일치하였다.