Abstract
Perovskite lanthanum doped lead titanate ($(Pb,La)TiO_{3}$ or PLT) thin films were successfully fabricated on Pt/TijSiO.iSi substrates at the temperatures as low as $440~500^{\circ}C$ by eleclron cyclotron resonance plasma-enhanced chemical vapor deposition (ECR PECVII). Since the volatilities of the MC sources arid oxide molecules (especially Ph oxide) increased with increasing deposition temperature, the film deposition rate and the (I'b + La)/'Ti ratio decreased Stoichiometric perovskite PL'T films with good dielectric and leakeage current properties were obtained at the temperatures of $460~480^{\circ}C$. The lanthanum content of the film was nearly directly propotional to $La(DPM)_{3}$ flow rate. As the La/Ti ratio increased from 3.0 to 9.5%, the dielectric constant increased from 360 to 650 and the leakeage current density at 100kV/cm electric field decreased from $4{\times}10^{-5}$ to $4{\times}10_{-8}A/cm^2$.
PLT 박막의 증착방법으로 ECR PECVD법을 이용한 경우 $440~500^{\circ}C$의 비교적 낮은 온도에서 순수한 perovskite구조를 가진$(Pb,La)TiO_{3}$박막을 성공적으로 제조하였다. 기판온도 증가에 따라 반응기체 및 산화물(특히 Pb oxkde)의 휘발성이 증대되어 증착속도가 감소하고 (Pb oxide)의 휘발성이 증대되어 증착속도가 감소하고 (Pb+La)/Ti조성비가 감소하였다. $460~480^{\circ}C$의 온도범위에서 증착한 PLT 박막이 화학양론비를 가장 잘 만족하였으며 이때 높은 유전상수와 가장 우수한 누설전류 특성을 나타내었다. $La(DPM)_{3}$ 유입량 증가에 따라 $(Pb, La)TiO_{3}$ 박막의 La 조성이 거의 직선적으로 비례하여 증가하였는데 La/Ti비가 3.0%에서 9.5%까지 증가함에 따라 PLT 박막의 유전 상수는 360부터 650까지 증가하였고 100kV/cm 전기장하에서의 누설전류도 $4{\times}10^{-5}$에서 $4{\times}10_{-8}A/cm^2$로 향상되었다.
