Korean Journal of Materials Research (한국재료학회지)

Materials Research Society of Korea (한국재료학회)
권호 표지

Preparation and Characteristics of Ferroelectric $\textrm{SrBi}_{2}\textrm{Ta}_{2}\textrm{O}_{9}$ Thin Films Deposited by Plasma-Enhanced Metalorganic Chemical Vapor Deposition Technique with Various Deposition Temperatures

PEMOCVD에 의한 강 유전체 $\textrm{SrBi}_{2}\textrm{Ta}_{2}\textrm{O}_{9}$박막의 제조 및 증착온도 특성

  • Seong, Nak-Jin (Dept. of Materials Engineering, Chungnam National University) ;
  • Yun, Sun-Gil (Dept. of Materials Engineering, Chungnam National University)
  • Published : 1997.05.01
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Abstract

PEMOCVD에 의해서 SrBi$_{2}$Ta$_{2}$O$_{9}$밥막이 낮은 온도에서 성공적으로 Pt/Ti/SiO$_{2}$Si위에 증착되었다. 5$50^{\circ}C$에서 증착된 200nm박막은 치밀하고 작은 결정립을 보였으며 3V의 인가전압하에서 이력곡선은 포화되기 시작하였다. 3V에서 박막은 잔류분극 (P$_{r}$)과 항전계(E$_{c}$)는 각각 15$\mu$/$\textrm{cm}^2$과 50kV/cm이었다. 6V bipolar square pulse의 피로측정에서 박막은 1.0x$10^{11}$cycles까지 피로 현상을 보이지 않았다. PEMOCVD에 의해서 5$50^{\circ}C$에서 증착된 SBT박막은 비휘발성 기억소자에 충분히 활용할 수 있다.다.

Keywords

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