한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

  • 제7권6호
  • /
  • Pages.472-478
  • /
  • 1997
  • /
  • 1225-0562(pISSN)
  • /
  • 2287-7258(eISSN)
한국재료학회 (Materials Research Society of Korea)
권호 표지

RTCVD법을 이용한 Si(111)기판 위에 3C-SiC(111) 박막의 성장 및 분석

Growth and Analyses of 3C-SiC(111)Thin Films on Si(111)Substrate Using Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition

  • 서영훈 (전북대학교 화학공학부) ;
  • 남기석 (전북대학교 화학공학부) ;
  • 황용규 (원광대학교 물리학과) ;
  • 서은경 (전북대학교 반도체 물성 연구소) ;
  • 이형재 (전북대학교 물리기술학부 반도체 물성 연구소)
  • 발행 : 1997.06.01
PDF 다운로드
⟨ 이전 논문 다음 논문 ⟩

초록

TMS(tetramethysilane, Si(CH$_{3}$)$_{4}$)를 이용하여 RTCVD(rapid thermal chemical vapor deposition)장치에서 Si(111) 기판 위에 $\beta$-SiC(111)를 성장시켰다. 실험변수로는 반응온도, TMS유량, 반응시간, H$_{2}$유량을 변화시켰으며, XRD, IR, SEM, RBS, TEM등을 이용하여 성장된 박막을 분석하였다. 성장된 박막은 crystallized Si, C또한 Si-H, C-H결합은 관찰할 수 없었으나 다결정이었다. TMS의 유량이 증가함에 따라, 성장온도가 감소함에 따라서 미려한 박막을 성장시킬 수 있었으며, 반응의 활성화에너지는 20kcal/molㆍK이었다.

키워드

참고문헌

  1. amorphous and crystalline silicon carbide v.34 J.A.Powell;L.G.Matus;G.L.Harris(ed.);C.Y.W.Yang(ed.)
  2. Proceedings of the IEEE v.79 R.F.Davis;G.Kelner;M.Shur;J.W.Palmour;J.A.Edmond
  3. J. Appl. Phys. v.76 H.Morkoc;S.Strite;G.B.Gao;M.E.Lin;B.Sverdlov;M.Burns
  4. J. Electrochem. Soc. v.142 Y.Ohshita
  5. J. Am. Ceram. Soc. v.73 D.E.Cagliostro;S.R.Riccitiello
  6. IEEE trans. Electron Devices v.39 A.J.Steckl;J.P.Li
  7. Jpn. J. Appl. Phys. v.34 J.D.Hwang;Y.K.Fang;Y.J.Song;D.N.Yaung
  8. J. Crystal Growth v.110 A.Figueras;S.Garelik;R.Rodriguez-Clemente;B.Armas;C.Combescure;C.Dupuy
  9. Korean J. of Chem. Eng. v.13 Y.H.Seo;K.S.Nahm;E.K.Suh;H.J.Lee
  10. J. Mater. Res. v.9 C.Y.Tsai;S.B.Desu;C.C.Chiu
  11. J. Crystal Growth v.115 K.Takahashi;S.Nishino;J.Saraie
  12. J. Crystal Growth v.115 Y.Hattori;T.Suzuki;T.Murata;T.Yabumi;K.Yasuda;M.Saji
  13. J. Appl. Phys. v.61 S.Nishino;H.Suhara;H.Ono;H.Matsunami
  14. J. Vac. Sci. Technol. v.A9 M.P.Delplancke;J.M.Powers;G.J.Vandentop;M.Salmeron;G.A.Somorjai
  15. Jpn. J. Appl. Phys. v.25 A.Chayahara;A.Masuda;T.Imura;Y.Osaka
  16. Thin Solid Films v.40 J.Chin;P.K.Gantzel;R.G.Hudson
  17. J. Mater. Res. v.8 C.C.Chiu;S.B.Desu;C.Y.Tsai
  18. J. Electrochem. Soc. v.134 D.J.Cheng;W.J.Shyy;D.H.Kuo;M.H.Hon