Ferroelectric Properties of Sol-Gel Derived pb(Zr,Ti)$\textrm{O}_3$Thin Films

SoI-Gel법에 의한 Pb(Zr, Ti)$\textrm{O}_3$박막의 강유전체 특성

  • Go, Ga-Yeon (Dept.of Inorganic Materials Engineering, Seoul National University) ;
  • Lee, Eun-Gu (Dept.of Inorganic Materials Engineering, Seoul National University) ;
  • Park, Jin-Seong (Dept.of Inorganic Materials Engineering, Seoul National University) ;
  • Lee, Jong-Guk (Dept.of Inorganic Materials Engineering, Seoul National University) ;
  • Lee, U-Seon (Dept.of Electronics Engineering, Chosun University) ;
  • Lee, Jae-Gap (Kookmin University)
  • Published : 1997.06.01

Abstract

Sol-gel법으로 제작한 여러 종류의 Zr/Ti비율을 갖고 있는 PZT박막의 전지적 특성과 신뢰성 특성을 상부 백금 전극을 sputtering으로 증착하고 Ar 기체로 반응성 이온 식각(RIE)방법으로 패턴을 형성한 후 열처리온도의 변화에 따라 조사하였다. Hysteresis loop특성을 되찾게 하였다. Zr/Ti 비율이 감소함에 따라 voltage shift가 증가하였으며 internal field가 없어지는 열처리 온도가 증가하였다. Zr/Ti비율이 감소함에 따라 초기 잔류 분극은 증가하였으나 switching 횟수가 증가됨에 따라 잔류 분극이 급속히 감소하였다.

Keywords

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