The Effect of Pd Deposition Condition on the Hydrogen Sensing Performance of Pd Gate MOS Sensor

Pd게이트 MOS센서의 수소검지특성에 Pd 증착조건이 미치는 영향

Pd게이트 MOS센서의 수소검지특성에 Pd 박막의 증착조건이 미치는 영향에 대해서 조사였다. rf power의 증가와 증착온도의 증가는 모두 센서의 감도와 초기반응속도를 감소시켰으며 rf power의 변화보다는 증착온도의 변화에 의한 효과가 현저하였다. 절연막을 Si$_{x}$N$_{y}$ /SiO$_{2}$로 대신한 결과 SiO$_{2}$에서돠는 달리 시간이 지남에 따라 평탄대역전압이 여러 단계로 변화하는 양상을 보였다. rf power, 증착온도, 기판의 변화가 MOS 센서의 감도나 초기반응속도등의 센서특성에 영향을 미친다는 사실을 확인할 수 있었다.