Korean Journal of Materials Research (한국재료학회지)

Materials Research Society of Korea (한국재료학회)
권호 표지

Growth and Properties of GaN on $\textrm{MgAl}_{2}\textrm{O}_{4}$ Substrate by Hydride Vapor Phase Epitaxy Method

$\textrm{MgAl}_{2}\textrm{O}_{4}$ 기판위에 GaN의 Hydride Vapor Phase Epitaxy성장과 특성

  • 이영주 (대전산업대학교 재료공학과) ;
  • 김선태 (대전산업대학교 재료공학과) ;
  • 김배용 (LG종합기술원 소자재료 1실) ;
  • 홍창희 (LG종합기술원 소자재료 1실)
  • Published : 1997.08.01
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Abstract

HVPE(hydride vapor phase epitaxy)법으로 (111)MgAI$_{2}$ $O_{4}$기판위에 GaN 후막을 성장하였다. GaN를 성장하기 전에 기판에 표면을 GaCI로 처리한 수 성장하였을 때 이중 X선 회절 피크의 반치폭이 710 arcsec로서 N $H_{3}$로 처리한 후 성장한 GaN에 비하여 작았으며, 무색 투명의 경면상태가 얻어\ulcorner다. 113$0^{\circ}C$의 온도에서 성장한 GaN 의 광루미네센스(PL)특성과 동일하게 나타났다. 10K의 온도에서 측정된 PL 스펙트럼은 자유여기자와 속박여기자의 재결합천이에 의한 피크들과 Mg과 관련된 도너-억셉터 쌍 사이의 재결합 및 이의 1LO, 2LO, 3LO 및 4 LO 포논복제에 의한 피크들이 나타났다. 성장된 GaN는 n형의 전도성을나타내었으며, 캐리어 이동도와 농도는 각각 21.3$\textrm{cm}^2$/V ㆍsec와 4.2 x $10^{18}$$cm^{-3}$이었다.

Keywords

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