Heat-treatment Effects of CdS Thin Films Fabricated by Thermal Evaporation Method

진공증착법으로 제작한 CdS 박막의 열처리효과

  • 박태성 (수원대학교 전자재료공학과) ;
  • 진교원 (수원대학교 전자재료공학과) ;
  • 김영호 (수원대학교 전자재료공학과) ;
  • 한은주 (수원대학교 전자재료공학과) ;
  • 김근묵 (수원대학교 전자재료공학과)
  • Published : 1997.11.01

Abstract

열증착법에 의해서 온도 85$^{\circ}C$인 glass기판 위에 CdS 박막을 제작하였다. 두께가 200nm정도로 측정된 CdS박막은 공기 중에서 온도 25$0^{\circ}C$-55$0^{\circ}C$범위에서 각각 30분간 열처리 되었으며 이들 시료에 대하여 4-point probe, XRD, SEM, UV-Spectrophotometer 및 광발광 측정으로 전기적 광학적 특성을 조사하였다. 이들의 일련의 실험값은 열처리 온도 37$0^{\circ}C$ 근처에서 구조의 변화를 보여주었는데, 열처리 온도에 대한 비저항아니 XRD, SEM 의 측정은 cubic로부터 hexagonal구조로의 변환을 나타내었다. 특히 상온에서 측정한 광발광에서 green edge emission(GEE)피이크가 2.42eV를 나타내었는데 이 때의 발광 중심은 열처리할 때 생긴 S-vacancy에 보상된 산소로 이루어진 'CdO'의 악셉터준위에 기인하는 것으로 해석되며 그 이온화 에너지는 약 0.16eV이었다.

Keywords

References

  1. J. Cryst. Growth v.159 S.Duke;R.W.Miles;P.C.Pande;S.Spoor;B.Ghosh;P.K.Datta;M.J.Carter;R.Hill
  2. Appl. Phys. Lett. v.62 no.22 J.Britt;C.Ferekides
  3. Appl. Phys. Lett. v.30 H.C.Jr;E.Bueher
  4. Appl. Phys. Lett. v.26 J.Britt;C.Ferekides
  5. Thin Solid Films v.235 S.C.Sahu;S.N.Sahu
  6. J. Cryst. Growth v.117 G.C.Morris;S.K.Das;P.G.Tanner
  7. Jpn. J. Appl. Phys. v.33 no.11 B.Ullrich;T.Kobayaashi
  8. Appl. Phys. Lell v.64 no.3 O.Zelaya-Angel;J.J.Alvarado-Gel;R.Lozada-Morales;H.Vargas;A. Ferreira da Silva
  9. J. Vac. Sci. Technol. v.A14 no.4 H.Ariza-Calderon;R.Lozada-Morales;O.Zelay-Angel;J.G.Mendoza-Alvarer;L.Banos
  10. Sol. Energy Mater. v.28 J.Santamaria;I.Mondal;E.Iborra;G. Gonzalez Diaz;F. Sanchez Quseada
  11. Sol. Cells v.22 S.C.Schu;S.Chandra
  12. J. Lumminescence v.66;67 J.Zhao;K.Dou;Y.Chen;C.Jin;L.Sun;S.Huang;J.Yu;W.Xiang;Z.Ding
  13. J. Crist. Growth v.158 P.J.Geroge;A.Sanchez;P.K.Nair;L.Huang
  14. Phys. Rev. v.125 B.A.Kulp
  15. Solid State Comm. v.94 no.1 O.Zelaya-Angel;A.E.Esparza-Garcia;C.Falcony;R.Lozada-Moraldes;R.Ramirez-Bon