Korean Journal of Materials Research (한국재료학회지)

Materials Research Society of Korea (한국재료학회)
권호 표지

Effect of Substrate Surface Roughness Modified by Nitridation on GaN Growth

질화처리에 의한 기판 평면 평활도의 변화가 GaN 성장에 미치는 영향

  • Jeong, Jae-Sik (Metals Division, Korea Institute of Science and Thchnology) ;
  • Byeon, Dong-Jin (Dept.of Materials Science, Korea University) ;
  • Kim, Byeong-Hwa (Dept.of Materials Science, Korea University) ;
  • Lee, Jae-In (Metals Division, Korea Institute of Science and Thchnology) ;
  • Yu, Ji-Beom (Sung Kyun Kwan University Dept.of Materials Engineering) ;
  • Geum, Dong-Hwa (Metals Division, Korea Institute of Science and Thchnology)
  • 정재식 (한국과학기술연구원 금속연구부) ;
  • 변동진 (고려대학교 재료공학과) ;
  • 김병화 (고려대학교 재료공학과) ;
  • 이재인 (한국과학기술연구원 금속연구부) ;
  • 유지범 (성균관대학교 재료공학과) ;
  • 금동화 (한국과학기술연구원 금속연구부)
  • Published : 1997.11.01
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Abstract

LED와 LD의 수명과 효율은 결정에 존재하는 결함의 밀도에 반비례하며, 이러한 결함의 밀도는 적당한 기판을 사용하거나, 기판의 표면을 적절하게 제어함으로써 줄일 수 있다. GaN성장시 원자 단위의 매끄러운 표면은 완충충 성장이나 질화처리를 함으로써 얻어질 수 있다. 이렇게 얻어진 원자 단위의 매끄러운 표면에 의해 기판과 박막상이의 계면 자유에너지가 감소하기 때문에 2D성장이 촉진된다. 사파이어(AI$_{2}$O$_{3}$(0001))기판을 사용한 GaN 왕충충성장과 진화처리에 대한 최적조건은 AFM(Atomic Force Microscope)측정 결과에 의해 결정되었다. AFM에 의해 얻어진 표면 평활도의 개념은 사파이어 기판을 사용한 GaN박막성장의 최적조건을 결정하는 데 있어서 높은 신뢰도를 가질 수 있다.

Keywords

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