Sputtering법으로 제조된 TaNx 박막의 제조조건에 따른 전기저항 변화

The Effect of the Processing Conditions on the Electrical Resistivity of Tantalum Nitride Thin Film Coated by the Reactive Sputtering

  • 최용락 (순천향대학교 재료공학과) ;
  • 김선화 (순천향대학교 재료공학과)
  • Choe, Yong-Rak (Dept. of Material Engineering, Soonchunhyang University) ;
  • Kim, Seon-Hwa (Dept. of Material Engineering, Soonchunhyang University)
  • 발행 : 1997.12.01

초록

현재 전기, 전자, 우주, 자동차, 무기 등의 여러 분야에서 응용되고 있는 TaNx 다층박막저항체의 특성을 개선하기 위하여 magnetron sputtering법으로 TaNx박막을 제조한 후, 온도와 질소분압에 따른 전기저항 및 TCR특성 변화를 조사하였고, 미세조직이 이들 전기적 성질에 미치는 영향을알아보기 위해 상분석과 morphology를 관찰하였다. 그 결과, TaNx을 코팅한 박막의 전기저항은 $N_{2}$Ar이 0.4 이상에서, 금속전도특성에서 이온전도특성으로 변화하였으며,Cr이 TCR효과를 안정시키는 역할은 하여 TaNx/A $I_{2}$ $O_{3}$보다 TaNx/Cr/A $i_{2}$ $O_{3}$박막의 TCR특성이 더 안정하게 나타났다. 또한 TaNx/A $I_{2}$ $O_{3}$박막과 TaNx/Cr/A $i_{2}$ $O_{3}$박막의 경우 모두 $N_{2}$/Ar이 0-0.4정도에서 TCR효과에 좋은 특성을 나타내었다. X-선회절 실험 결과 $N_{2}$/Ar비가 1일 경우에 T $a_{2}$ $N_{.8}$이 생성되었고, 분압이 증가함에 따라 비정질이 생성되었다. morphology가 $N_{2}$/Ar이 증가함에 따라 입자의 모양이 불연속아일랜드 형태로 변화하였으며, 이것은 질소분압에 따른 전기저항 변화와 일치하였다.다.

키워드

참고문헌

  1. Deposition Technologies for Films and Coating R.F. Bunshah
  2. Thin Films K.D.Leaver;B.N.Chapman
  3. Handbook of Thin Film Technology Leon Maissel;Reinhard Glang
  4. Int. Met. Rev. v.23 K.K. Yee
  5. The Materials Science of Thin Films Milton Ohring
  6. J. Vac. Sci. Technol. v.12 no.4 Yoichi Murayama