기상반응법에 의한 질화티타늄 제조

Preparation of TiN by Chemical Vapor Deposition

  • 김동현 (급속응고신소재연구소, 충남대학교) ;
  • 김동현 (급속응고신소재연구소, 충남대학교) ;
  • 김동현 (급속응고신소재연구소, 충남대학교) ;
  • 원창환 (급속응고신소재연구소, 충남대학교)
  • 발행 : 1997.12.01

초록

TiN은 기상반응법으로 티타늄판과 질소가스의 질화반응에 의해 제조되었다. $\delta$-TiN은 약 1100-140$0^{\circ}C$의 온도 범위에서만 형성되는데 반해, 110$0^{\circ}C$이하의 온도에서는 $\varepsilon$-TiN 상도 관찰할 수 있었다. $\delta$-TiN의 미소정도값은 3000$\pm$300kg/m$m^2$였고, 격자상수는 0.4226$\mu\textrm{m}$였다. 가스의 유동속도가 0.7$\ell$/min의 속도이하에서는 확산과정에 의해 지배됨을 알 수 있었다. 활성화에너지가 110$0^{\circ}C$이상에서는 67.6Kcal/mol이었고 110$0^{\circ}C$이상에서는 13.9Kcal/mol이었던 것으로 보아 반응메커니즘이 110$0^{\circ}C$를 기점으로 변한다는 것을 명백히 관찰할 수 있었다. 그리고 증착속도가 확산과정에 의해 지배되는 영역에서 TiN의 증착속도는 전체 유량의 제곱근에 비례하였다.

키워드

참고문헌

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