Abstract
Single phase pero~~skite lead lanthanum titanate thin films were fabricated on $Pt/Ti/SiO_2/Si$ substrates at the temperature of $480^{\circ}C$ by electron cyclotron resonance plasma-enhanced chemical vapor deposition (ECR PECVD) using metal organic sources $Pb(DPM)_2$ pre-flowing treatment in ECIi oxygen plasma before fabricating PLT films 11romote the perovskite nucleation due to stable supplying of the $Pb(DPM)_2$ and providing the F'h-rich atmosphere in the early stage of deposition. $Pb(DPM)_2$ pie-flonring treatment enhanced the properties of PLT films. The charactcristics of the PLT filrris were investigated as a tunction of the flow rate of Ti-source. The PL'i' films were grown in a perovskite structure tvith (100) preferred orientation. The high X-ray diffraction intensity and dielectric constant were obtained from the stoichiometric perovskite $(Pb,La)TiO_3$.
ECR PECVD법에 의해 $Pt/Ti/SiO_{2}/Si$ 다층 기판 위에 $480^{\circ}C$에서 순수한 페로브스카이트상의 PLT박막을 증착하였다. PLT 박막 증착전 ECR산소 플라즈마내에서의 $Pb(DPM)_{2}$ pre-flowing처리는 $Pb(DPM)_{2}$의 공급을 안정화시켜주며 박막증착초기에 Pb성분이 풍부한 분위기를 조성해 줌으로써 페로브스카이트 핵생성을 용이하게 하여 PLT박막 특성을 향상시켰다. Ti-source 유입량을 변화시킬 때 PLT박막의 증착특성, 조성, 결정상 그리고 전기적 특성을 관찰하였다. PLT박막은(100)으로 우선 배향되었으며 화학양론비가 잘 맞는 경우 높은 페로브스카이트 X-선 회절강도와 높은 유전율을 나타내었다.
