Abstract
6H-SiC UV photodiodes with $p^+$/n/n mesa structure were fabricated. The photocurrents of the photodiodes were measured in the wavelength range of 200~600 nm. The photocurrents were sensitive to ultraviolet radiation of 200~500 nm, and come to the maximum value at 260 nm. The quantum efficiency was calculated by using the diffusion model of minority carriers, and compared with the distribution of the photocurrent measured as a function of wavelength each other. The photocurrents of the 6H-SiC photodiode were explained by the diffusion model of the minority carriers which contained the optical absorption of the depletion region as well as the other layers.
$p^+$/n/n 메사(mesa) 구조를 갖는 6H-SiC UV 광다이오드를 제작하여 입사 파장 200~600 nm의 영역에서 광전류(photocurrent)를 측정하였다. 광다이오드의 파장의 변화에 따라 측정된 광전류는 자외선 영역에서 민감하며 260 nm 근처에서 최대값을 나타내었다. 광다이오드의 광전류 분포를 해석하기 위하여 소수 운반자의 확산모델로 양자효율을 계산하였으며, 계산된 양자효율은 측정된 광전류 분포와 상대적으로 비교되었다. 6H-SiC UV 광다이오드의 광전류 분포는 공핍층에서 광흡수가 포함된 소수운반자의 확산모델에 의하여 해석되었다.
