Dislocation behavior in the ZnSe crystal

ZnSe 단결정내에서의 전위거동

Dislocation behavior in the ZnSe crystal grown by seeded vapor transport was investigated. Etch pit shape with the ZnSe plane and dislocation arrangement were shown. Also the variation of the dislocation density in the crystal was disclosed. The dislocation density along the lateral growth direction was not changed but the dislocation density along the vertical growth direction was reduced as the crystal grew. The average dislocation density of the grown crystal was $4{\times}10^4 /\textrm{cm}^2$.

Seeded vapor transport법에 의해 성장된 ZnSe 결정내에서 전위거동을 살펴보았다. (111)과 (100) ZnSe wafer의 etch pit 형상을 관찰하였고 성장된 결정이 높은 전위밀도를 가지면 전위들이 lineage와 cellular 두 가지 형태로 배열됨을 알았다. Seed로부터 측방성장된 부위에서 전위밀도의 변화는 없었으나 수직 성장방향으로는 전위밀도가 감소하였고, 같은 wafer내에서 전위밀도는 wafer center 지역의 전위밀도가 edge부위의 전위밀도 보다 낮았다. 성장된 결정의 평균 전위밀도는 $4{\times}10^4 /\textrm{cm}^2$이었다.