Abstract
Visible photoluminescence (PL) has been observed generally in the blue and green spectral region from anodically etched porous Ge as well as spark processed Ge. Porous Ge which is prepared by anodic etching without UV light illumination displays the PL peak max of 52 nm (2.38 eV), while porous Ge with UV light illumination exhibits PL peak blue shift to a 470 nm (2.63 eV). Spark processed Ge shows a PL peak max of 520 nm with shoulder peaks at 420 nm and 610nm. The values of energy shift as a function of decreasing temperature between 300 K and 20 K is 0.53 and $1.89\;meVK^{-1}$ for anodic etched Ge without UV illumination and with UV illumination, respectively. On the contrary, no continuous blue shift of PL peak as a function of decreasing temperature is observed for the green luminescing spark processed Ge. From the results of PL as a function of temperature the origin of blue and green luminescing anodically etched Ge as well as spark processed Ge is discussed.
스파크 제조법으로 제조된 Ge 및 양극산화 부식법으로 제조된 다공성 Ge으로부터 청색 및 녹생 영역에서 가시광선 광발광이 관찰되었다. 자외선 조사없이 양극산화 부식법으로 제조된 다공성 Ge은 광발광 피크의 최대값이 520nm(2.38eV)에서, 자외선 조사하에서는 470nm(2,63eV)로 청색전이가 되었다. 스파크법으로 제조한 Ge은 광발광 피크가 520nm에서 관찰되었고 420nm 및 610nm에서 shoulder 피크가 나타났다. 온도감소(300K에서 20K까지)에 따른 연속적인 광발광 피크의 청색전이값은 자외선 조사하에 양극 산화부식법으로 제조한 다공성 Ge에서는 0.53meVK-1이었고 자외선 조사없이 제조한 다공성 Ge에서는 약 3배정도 큰 값인 $1.89\;meVK^{-1}$을 나타내었다. 한편 스파크 방법에 의하여 제조된 Ge은 온도 감소에 따른 연속적인 광발광 피크 청색 전이가 나타나지 않았다. 이러한 온도에 따른 광발광 현상으로부터 청색 및 녹색 광발광 현상을 나타내는 Ge의 광발광기구를 고찰하였다.
