Journal of the Microelectronics and Packaging Society (마이크로전자및패키징학회지)
- Volume 5 Issue 1
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- Pages.101-110
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- 1998
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- 1226-9360(pISSN)
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- 2287-7525(eISSN)
Improvement of Leakage current In PZT Thin Films I -Analysis of Leakage Current Mechanism and Effects of Substrate Protection Layer in PZT Thin Films-
PZT 박막의 누설전류 개선에 관한 연구 I -PZT 박막의 누설전류 기구 분석 및 기판 보호층의 효과-
Abstract
큰 누설전류를 개선하고 누설전류 기구를 해석하기 위해 Pt/Ti/ SiO2/Si 기판상에서 2단계 sputtering 하여 PZT박막을 형성시켰다. 상온층과 perovskite의 두층으로 이루어진 PZT박막은 누설전류가 개선되었다. 특히 20nm의 상온층을 포함하는 PZT 박막은 유전상수 와 누설전류 특성이 모두 탁월한 것으로 나타났다. 이와 같은 조건에서 PZT 박막의 누설전 류 기구는 bulk 지배하는 기구로 바뀌었다.
Keywords