Abstract
The silicide formation mechanisms of Co/Hf and Co/Nb bilayer on (100) Si have been investigated. We ob-served that crystallographic orientationso f the 500$^{\circ}C$ formed cobalt silcides were different each other with the varying intermediate layers. Epitaxial and non-epitaxial CoSi2 formed simultaneously in Co/Hf/(100Si. While only non-epitaxial CoSi2 formed in Co/Nb/(100) Si. The reason why the crystallographic orientation of CpSi2 is different for those two systems seemed to be relate to the formation and decomposition of stable reaction barriers at high temperature. The stable reaction barrier formed at high temperature could control the uniform diffusion of Co atoms which enables epitaxial growth of CoSi2.
단결정 Si 기판 위에 증착한 Co/Hf과 Co/Nb 이중층으로부터 형성된 Co 실리사이드의 성장기구에 대하여 조사하였다. 두 경우 모두 500$^{\circ}C$ 이상에서 CoSi2가 주로 형성되었으나 그 결정방위의 성장양상은 서로 달랐다. Co/Hf/(100)Si 구조에서는 Si 기판과 에피텍셜 관계를 갖는 결정립과 그렇지 않은 결정립이 서로 혼합되어 성장하였다. 그러나 Co/Nb/(100)Si에서는 처음부터 에피텍셜 관계를 갖지 않는 결정립들만이 형성되었다. 동일한 구조임에도 불구하고 이렇게 내열금속 중간층에 따라 성장된 실리사이드의 결정방위가 달라지는 것으 안정한 반응제어층의 형성 및 고온에서의 그 분해과정과 관련이 있었다. 여러 구성원소들로 이루어진 반응제어층이 고온까지 안정할 경우에는 Co의 확산이동을 균일하게 제어하여 실리사이드의 에피텍셜 성장이 가능하다.
