Korean Journal of Materials Research (한국재료학회지)

Materials Research Society of Korea (한국재료학회)
권호 표지

The Effect of Hydrogenation on the Elecrical Property and the Surface Roughness of Poly-$\textrm{Si}_{1-x}\textrm{Ge}_{x}$ Thin Film

수소화처리가 다결정 $\textrm{Si}_{1-x}\textrm{Ge}_{x}$박막의 전기적특성 및 표면거칠기에 미치는 영향

  • 이승호 (가원대학교 재료공학과) ;
  • 이규용 (가원대학교 재료공학과) ;
  • 소명기 (강원대학교 재료공학과) ;
  • 김교선 (강원대학교 화학공학과)
  • Published : 1998.01.01
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Abstract

RTCVD법으로 증착된 다결정 Si$_{1-x}$Ge$_{x}$박막에서 Ge조성 증가에 따른 결정립크기변화가 표면거칠기 및 cluster크기에 미치는 영향에 대해 알아본결과, Ge조성 증가에 따라 결정립크기가 증가했으며 증가된 결정립에 의해 Cluster 크기와 표면거칠기값(RMS)들이 증가함을 알 수 있었다. 또한 증착된 다결정 Si$_{1-x}$Ge$_{x}$박막을 RF power와 온도변화에 따라 Ar/H$_{2}$플라즈마를 이용한 수소화처리를 행하여, 수소화 효과와 표면거칠기값 그리고 비저항값 변화에 대해 조사하였다. 수소화처리 후 cluster크기와 표면거칠기값은 기판온도와 RF power 증가에따라 감소함을 알 수 있었으며 특히 기판온도 30$0^{\circ}C$에서는 비저항값이 상당히 증가하였다.

Keywords

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