Korean Journal of Materials Research (한국재료학회지)

Materials Research Society of Korea (한국재료학회)
권호 표지

Electrical and Thermoelectric Properties of $\textrm{SbI}_{3}$-doped 85% $\textrm{Bi}_{2}\textrm{Te}_{3}$-15% $\textrm{Bi}_{2}\textrm{Se}_{3}$ Thermoelectric Semiconductor

$\textrm{SbI}_{3}$를 첨가한 85% $\textrm{Bi}_{2}\textrm{Te}_{3}$-15% $\textrm{Bi}_{2}\textrm{Se}_{3}$ 열반도체의 전기적 특성과 열전 특성

  • 현도빈 (한국과학기술연구원 금속공정연구센터) ;
  • 황종승 (한국과학기술연구원 금속공정연구센터) ;
  • 오태성 (홍익대학교 금속.재료공학과) ;
  • 유병철 (한국과학기술연구원 금속공정연구센터) ;
  • 황창원 ((주) 써모텍)
  • Published : 1998.05.01
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Abstract

Electrical and Thermoelectric Properties of$ SbI_{3}$-doped 85% 85% $BiTe_{2}$$Se_{3}$ 단결정에서 전하 이동에 대한 살란인자는 0.1이었으며, 전자이동도와 정공이동도의 비($\mu_{e}$ /$\mu_{h}$ )는 1.45이었다. $SbI_{3}$의 첨가량이 증가할수록 전자 농도의 증가로 Seebek 계수와 전기비저항이 감소하며, Seebeck 계수와 전기비저항이 최대값을 나타내는 온도가 고온으로 이동하였다. $SbI_{3}$를 첨가한 85%$Bi_{2}$$Te_{3}$단결정에서 성능지수의 최대값은 $SbI_{3}$를 0.1 wt%첨가한 조성에서 $2.0 x 10^{-3}$ K이었다.

Keywords

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