Abstract
Phase reactions at W /6H- SiC interfaces during heat treatments were investigated by X- Ray diffractometer and transmission electron microscopy. No detectable reactions were found after annealing at up to 900$0^{\circ}C$ whereas formation of $W_5Si_3$ and $W_2C$$0^{\circ}C$ This result is consistent with a previous report that the reactions between 3C-SiC and W occurs at llOOoe, and suggests that $W_5Si_3$ and $W_2C$ are the stable phases in this temperature range.
6H-SiC와 W의 계면에서 열처리에 따라 일어나는 반응을 X-선 회절분석 및 투과전자현미경을 이용하여 분석하였다. 연구결과 $900^{\circ}C$까지 새로운 상의 형성은 없었고, $1100^{\circ}C$와 $1300^{\circ}C$에서 $W_5Si_3$와 $W_2C$가 형성되어 서로 혼재되어 있으며 반응하지 않은 W은 없음을 관찰하였다. 이는 이미 보고된 W/$\beta$-SiC의 경우와 일치하는 결과로서 이 온도영역에서 $W_5Si_3$와 $W_2C$가 안정상임을 시사하고 있다.