플라즈마 잠김 이온 주입에 대한 플라즈마 덮개의 해석

Sheath analysis for a plasma immersion ion implantation

  • 김영권 (광운대학교, 전자물리학과, 대전입자법 및 플라즈마 연구실) ;
  • 김영삼 (광운대학교, 전자물리학과, 대전입자법 및 플라즈마 연구실) ;
  • 조대근 (광운대학교, 전자물리학과, 대전입자법 및 플라즈마 연구실) ;
  • 최은하 (광운대학교, 전자 물리학과, 대전입자법 및 플라즈마 연구실) ;
  • 조광섭 (광운대학교, 전자물리학과, 대전입 자법 및 플라즈마 연구실)
  • 발행 : 1998.11.01

초록

플라즈마 잠김 이온 주입에서 플라즈마 덮개의 동력학에 대한 모델로부터 시료면에 주입되는 이온 전류밀도의 시간적인 변화를 해석하였다. 시료에 주입되는 이온의 전류밀도 는 플라즈마 덮개의 형성이후 특정 시간에 최대값을 갖게되고, 점차 줄어든다. 이러한 이온 주입 전류밀도의 변화를 이온의 충돌, 시료 면의 충전시간, 그리고 시료 면에 인가되는 파형 에 대하여 나타내었다.

The time variation of an ion current density has been analyzed based on the plasma particle dynamic model for the plasma immersion ion implantation. The implanted ion current density has its maximum value at a particular time after sheath formation, and decays. The influence of the particle collisions, the capacitive time of the substrate, and the pulse formula has been represented on the implanted ion current.

키워드

참고문헌

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