Abstract
We propose a simple technique to obtain field-induced absorption changes of an electroabsorption waveguide by using photocurrent generated inside a waveguide. Photocurrent proportional to the absorbed power and displaying Fabry-Perot interference fringes were observed and the field-induced absorption changes were derived from the ratio of resonant and anti resonant currents in the photocurrent spectra. The field-induced absorption change of InGaAsP waveguide for 1.5V reverse bias voltage at 1.55 $\mu\textrm{m}$ was determined to be $~157\cm^{-1}$.
전계흡수형 반도체 광도파로에서 흡수된 빛에 의해 발생된 광전류는 전파되는 파장에 따라 Fabry-Perot 모드의 간섭패턴을 나타냄을 보이고, 이로부터 인가전압에 따른 흡수계수의 변화를 측정할 수 있는 방법을 제시하였다. 광전류 신호는 파장에 따라 공명 반공명을 반복해서 나타내며 그 진폭은 흡수계수의 크기에 의존하므로 전계에 따른 흡수계수의 변화량을 측정 할 수 있었고, 1.55 $\mu\textrm{m}$ 파장에서 역전압 1.5V 인가시 bulk in GaAsP의 흡수계수 변화는 대략 157cm-1임을 알 수 있었다.
