Measurement of Peltier Heat at the Solid/Liquid Interface and Its Application to Crystal Growth I : Theoretical Approach

고/액 계면에서의 Peltier 열 측정 및 결정성장에의 응용 I : 이론적 접근

  • Kim, Il-Ho (Dept of Materials Engineering, Chungju National University) ;
  • Jang, Gyeong-Uk (Dept. of Mat. Sci. & Eng., Hanseo University) ;
  • Lee, Dong-Hui (School of Mat. Sci. & Eng., Yonsei University)
  • Published : 1999.11.01

Abstract

The Peltier heat absorbed or evolved at the solidiliquid interface in the unidirectional solidification process could contribute to the increase of temperature gradient in liquid and growth velocity, and the enhancement of crystal orientation. In this study, in order to measure the Peltier heat generated at the solidiliquid interface as a way of application to crystal growth, the thermoelectric effects were investigated on the temperature changes at the solid- and liquid-phase of the same material and its interface. Through the theoretical consideration, it was possible to separate sole Peltier. Thomson or Joule heat from the temperature changes due to current density, polarity, and temperature gradient. Thomson coefficient of solid- and liquid-phase as well as Peltier coefficient at the solid/liquid interface could be obtained.

결정성장 도중 전류에 의해 고/액 계면에서 발생하는 Peltier 열을 이용하면 온도구배의 증가와 이에 따른 성장속도의 증가 및 결정성의 향상에 기여할 것이라 예상되어, 고/액 계면에서 복합적으로 발생하는 Peltier 효과를 조사하였다. 전류 밀도, 극성 및 온도구배의 변화에 따른 고상과 액상 및 그 계면에서의 온도변화로부터 이론적 추론에 의해 Peltier 열, Thomson 열 및 Joule 열만의 영향으로 분류할 수 있었고, 고상/액상 계에 대한 Peltier 계수 및 Thomson 계수도 구할 수 있었다.

Keywords

References

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