기판온도가 MgO(001) 기판위에서 에피택시성장한 Fe스파터박막의 특성에 미치는 영향

Effects of Substrate Temperature on the Properties Sputtered Fe Films Epitaxially Grown on Mgo(001)

  • 발행 : 1999.08.01

초록

두께 1000$\AA$ 인 순철박막을 MgO(001)기판위에 rf 스파터링방법으로 에피택시성장시킨 후 기판의 온도가 박막의 결정학적, 자기적 특성에 미치는 영향을 토크마그네토미터, VSM 그리고 pole figure 등으로 주사하였다. X-선 회절 실험에서 기판온도가 증가할수록 (002)회절선의 회절강도가 증가하였다. 그러나 면간거리 d(002)은 25$0^{\circ}C$까지는 감소하였으나 30$0^{\circ}C$에서는 증가하였다. 회절강도의 증가와 면간거리의 감소는 순철박막과 기판과의 격자정합의 향상에 기인하는 것으로 생각되었으며 따라서 기판온도가 높을수록 좋은 에티택시박막을 얻을 수 있었다. 25$0^{\circ}C$에서 성장한 두께 1100$\AA$의 순철박막의 결정이방성상수 K1은 4.6$\times$105erg/cc로 벌크 단결정순철과 유사한 값을 가지고 있었다.

1000 $\AA$ thick Fe films were epitaxially grown on MgO(001) by an rf sputtering and effects of substrate temperature on the structural and magnetic properties were investigated. X-ray diffraction intensity increased with increasing substrate temperature and inter-planar spacing $d_{(002)}$ decrease with increasing the temperature up to 25$0^{\circ}C$. The increased intensity and decreased inter-planar spacing were thought to be attributed to the enhancement of lattice match between Fe films and MgO, thus yielding good epitaxial growth. By using torque magnetometer, VSM and pole figure, very nice epitaxial growth of sputtered Fe films on MgO could be confirmed and $K_1$ value of Fe films grown at 25$0^{\circ}C$ was $4.6{\times}10^5\;erg/cc$, which was very similar to that of bulk single Fe crystal.

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참고문헌

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