Surface Modification of Polymethylmethacrylate(PMMA) by Ion-assisted reaction

이온 보조 반응법(Ion-assisted-reaction)을 이용한 Polymethylmethacrylate (PMMA)의 표면개질

  • Jung, Sun (Thin Film Technology & Research Center, Korea Institute of Science and Technology) ;
  • Cho, Jun-Sik (Thin Film Technology & Research Center, Korea Institute of Science and Technology) ;
  • Choi, Sung-Chang (Thin Film Technology & Research Center, Korea Institute of Science and Technology) ;
  • Koh, Seok-Keun (Thin Film Technology & Research Center, Korea Institute of Science and Technology)
  • 정선 (한국과학기술연구원, 박막기술연구센터) ;
  • 조준식 (한국과학기술연구원, 박막기술연구센터) ;
  • 최성창 (한국과학기술연구원, 박막기술연구센터) ;
  • 고석근 (한국과학기술연구원, 박막기술연구센터)
  • Published : 1999.05.01

Abstract

Surface of Polymethylmethacrylate (PMMA) was modified by ion assisted reaction in which ion beam of Ar or$ O_2$is irradiated on polymer in reaction gas environment. Ion beam energy was changed from 600 to 1000eV, and ion doses were varied from $5\times10^{14} ions/cm^2 to 1\times10^{17} ions/cm^2$. Contact angle and surface energy of modified PMMA were measured by contact angle micrometer using distilled water and formamide. In the case of $Ar^+$ ion irradiation only, the contact angle reduced from $68^{\circ} to $35^{\circ}$ and the surface energy was changed from 46 dyne/cm to 60 dyne/cm. The contact angle significantly decreased to $14^{\circ}$and the surface energy increased to 72 dyne/cm when the surface of PMMA was modified by oxygen ion irradiation in oxygen gas environment. Improvement of wettability results from the formation of new hydrophilic group which is identified as C-O chain by XPS analysis. Recovery of wettability in dry air and maintenance of it in water condition were explained in view of the formation of hydrophilic group.

고분자 Polyrnethylrnethacryla te (PMMA) 의 표연에 친수성올 가지게 하기 위하여 600 eV에서 1000 e V의 이온범 과 반웅성 분위기 기체플 이용하는 이용 보조 반웅 (ion assisted reaction) 법으로 개질 하였다. 아르곤 이옴범만율 조사한 시료의 접촉각은 $68^{\circ} to $35^{\circ}$ 까지 접촉각이 낮아졌으며, 산소기체 분위기로 풀어 넣어주며 아르곤 이온빔으로 처리된 시료는 19。까지 정 촉각이 강소하였다. 산소 아온만으로 처리한 경우는 산소 분위기에서 아르곤 이온으로 조사한 경우와 비슷한 접촉각 변화를 냐타내며, 산소 분위기에서 산소이옹올 이용하여 시료를 처리한 경우 $68^{\circ}$이던 표면 접촉각이 $1\times10^{17} ions/cm^2$의 이온 에너지 조사 후에 $14^{\circ}$까지 강소하였다. 표면에너지는 아르곤 이온만으로 조사된 경우에 비하여 산소 분위기에서 조사한 경우와 산소 이온올 이용하여 조사한 경우에서 증가하였으며 산소 분위기에서 산소 이온으로 조사된 경우가 초기 46 dyne/cm 에서 72 dyne/cm로 증가하였으며 표면에너지의 증가는 dispersion force의 증가보다는 polar force의 증가에 의한 것으로 보인다. 이온빔으로 처리된 시료의 정 촉각 강소와 표변에너지의 증가는 x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) 의 spectra 결과로부터 PMMA의 표면에 C-O 결합의 증가로 인한 친수성 작용기가 표면에 형성되었기 때문이라고 생각된다. 이온법 조사 후 대기 중에 보관된 시료의 접촉각은 시간이 경과함에 따라 증가하지만, 물 속에 보관된 시료의 경우는 이온빔 처리된 후의 접촉각올 그대로 유지하였다. 또한 표면에너지의 경우도 대기 중에 보관된 시료의 경우는 시간의 경과함에 따라 polar force의 강소에 의해 표면에너지는 감소하였으나, 물 속에 보관된 경우는 표면에너지에 큰 변화가 없었다. 이로부터 접촉각과 표면에너지의 시간에 따른 변화도 이온빔 조사에 의해 형성된 친 수성기에 크게 의존함을 알 수 있다.

Keywords

References

  1. Ion Beam Modification of Insulators(Elsevier Science). P.Mazzold;G.W.Arnold
  2. Surface and Interface Analysis. v.10 D.W.Fakes;J.M.Newton;J.F.Watts;M.J.Edgell
  3. Polymer. v.21 D.Briggs;D.G.Rance;C.R.Kendall;A.R.Blythe
  4. Polymer. v.19 A.M.Wrobel;M.Kryszewski;W.Rakowski;M.Okoniewski;Z.Kubacki
  5. Polymer. v.18 B.Leclercq;M.Sotton;A.Baszkin;T.M.Suraga
  6. J. Polymer Sci. v.19 J.Amouroux;M.Goldman;M.F.Revoil
  7. Nuclear Inst. & Meth. v.B9 C.R.Wie;C.R.Shi;M.H.Mendenhull;R.P.Livi;T.Vreeland,Jr.;T.A.Tombrello
  8. Nuclear Inst. & Meth. v.B10 no.11 R.P.Livi
  9. Thin Solid Films. v.107 S.Jacobson;B.Jonsson;B.Sundqvist
  10. Nuclear Inst. & Met. v.198 J.E.Griffith;Y.Qiu;T.A.Tombrello
  11. Nuclear Inst. & Met. v.B1 M.C.Wintersgill
  12. Mat. Res. Soc. Symp proc. v.236 R.Schalek;M.Hlavacek;D.S.Grummon
  13. Mat. Res. Soc. Symp. proc. v.396 J.S.Cho;W.K.Choi;K.H.Yoon;H.J.Jung;S.K.Koh
  14. Journal of the korean vacuum society v.6 J.w.Seok;S.C.Choi;H.G.Jang;H.J.Jung;W.K.Choi;S.K.Koh
  15. Mat. Res. Soc. Symp. proc. v.354 S.K.Koh;W.K.Choi;J.S.Cho;S.K.Song;H.J.Jung
  16. J. Mater. Res. v.11 no.11 S.K.Koh;W.K.Choi;J.S.Cho;Y.M.Kim;H.J.Jung;S.K.Song
  17. J. Appl. polym. Sci. v.13 D.K.Owens;R.C.Wendt
  18. Mat. Res. Soc. v.12 no.1 J.S.Cho;W.K.Choi;H.J.Jung;K.H.Yoon;S.K.Koh