Structural dependence of the effective facet reflectivity in spot-size-converter integrated semiconductor optical amplifiers

모드변환기가 집적된 반도체 광증폭기에서의 유효단면반사율의 구조 의존성

  • 심종인 (한양대학교 전자컴퓨터공학부)
  • Published : 2000.10.01

Abstract

Traveling wave type semiconductor optical amplifiers integrated with spot-size-converter (SSC-TW-SOA) have been extensively studied for the improvement of coupling effiClency With single-mode fiber and fO! the cost reducClon 111 a packaging In tlIis paper the slructural dependence of the spot-slZe-converter on the effective facet reflectlvllY $R_{eff}$ was experimentally as well as thcoretienlly mvestlgated. It was shown that not only a sufficient mode-conversion in a sse region along the latersl and tran~verse directions but also an introductIOn of angled-facet were very essential in order to reduce $R_{eff}$ Very small ripple less than 0.1 dB in an amplified spontaneous emission spectrum was observed with the fabncated SSC-lW-SOA which consists of the wrndow length of $20\mu\textrm{m}$, facet angle of $7^{\circ}$, and antlrelleetioll-coated facet of ] % reflectivity.tivity.

최근 모드변환기가 집적된 진행파형 반도체 광증폭기(SSC-TW-SOA)가 광섬유와의 광결합 효율 향상 및 저가격화를 위해 활발히 연구되고 있다. 본 연구에서는 모드변환기의 구조가 단면 반사율에 미치는 영향을 실험 및 이론적으로 조사하였다. SSC-TW-SOA의 유효단면반사율을 낮추기 위해서는 수직 및 수평방향으로 충분히 모드변환을 행하고 동시에 기운단면 구조를 채용하는 것이 매우 효과적임을 이론적 및 실험적으로 확인하였다. 수직 및 수평방향의 모드변환기가 집적된 TW-SOA에 $20\mu\textrm{m}$ 길이의 창구조, $7^{\circ}$기운단면, 1% 무반사 코팅을 도입함으로써 0.1dB 이하의 작은 ASE ripple를 얻을 수 있었다.

Keywords

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