Effect of argon flow on the quality of Czochralski silicon crystal

쵸크랄스키 실리콘 단결정의 특성에 미치는 아르곤 유동의 영향

The effects of argon gas flow on the axial temperature gradient near the interface, the oxygen concentration, and the radial oxygen uniformity was investigated for 8-inch CZ silicon growth. As argon flow rate was increased, the temperature gradient was increased in the crystal near the crystavmelt interface and the oxygen content in the crystal was decreased. But the radial oxygen uniformity was deteriorated. It was found that argon flow is one of the important growing parameters to affect the quality of crystals such as oxygen content and uniformity.

8인치 쵸크랄스키 실리콘 단결성 성장에 있어서, 계면에서의 온도기울기, 산소, 농도 및, 반경방향의 산소농도 분포에 미치는 아르곤 가스 유동의 영향을 조사하였다. 아르곤의 유입량을 증가시킴에 따라 계면 근처 결정내 온도기울기가 증가하였으며. 결정내 산소농도는 감소하였다. 한편, 반경방향의 산소농도 균일성은 악화됨이 관찰되었다. 실험 결과를 종합하여 볼 때, 아르곤 유동이 산소 농도 및 균일 분포성 등의 결정 특성에 중요한 영향을 미치는 성장 공정변수임을 확인할 수 있었다.