Journal of the Korean Ceramic Society (한국세라믹학회지)

The Korean Ceramic Society (한국세라믹학회)
권호 표지

Influence of $Ar^+$ ion Bombardment on the Chemical States of ${SrBi_2}{Ta_2}{O_9}$ Thin Films Fabricated by Metal-Organic Decomposition

$Ar^+$이온 충격이 MOD 법에 의해 제조된 ${SrBi_2}{Ta_2}{O_9}$박막의 화학 상태에 미치는 영향

  • Park, Yoon-Baek (Memory R &D Division, Hyundai Electronics Industries Co., Ltd) ;
  • Cho, Kwang-Jun (Memory R &D Division, Hyundai Electronics Industries Co., Ltd) ;
  • Lee, Moon-Keun (Memory R &D Division, Hyundai Electronics Industries Co., Ltd) ;
  • Heo, Sung (Memory R &D Division, Hyundai Electronics Industries Co., Ltd) ;
  • Lee, Tae-Kwon (Memory R &D Division, Hyundai Electronics Industries Co., Ltd) ;
  • Kim, Ho-Joung (Memory R &D Division, Hyundai Electronics Industries Co., Ltd) ;
  • Min, Kyung-Youl (Memory R &D Division, Hyundai Electronics Industries Co., Ltd) ;
  • Lee, Sun-Young (Memory R &D Division, Hyundai Electronics Industries Co., Ltd) ;
  • Kim, Yil-Wook (Memory R &D Division, Hyundai Electronics Industries Co., Ltd)
  • 박윤백 (현대 전자 주식회사 메모리 연구소) ;
  • 조광준 (현대 전자 주식회사 메모리 연구소) ;
  • 이문근 (현대 전자 주식회사 메모리 연구소) ;
  • 허성 (현대 전자 주식회사 메모리 연구소) ;
  • 이태권 (현대 전자 주식회사 메모리 연구소) ;
  • 김호정 (현대 전자 주식회사 메모리 연구소) ;
  • 민경열 (현대 전자 주식회사 메모리 연구소) ;
  • 이순영 (현대 전자 주식회사 메모리 연구소) ;
  • 김일욱 (현대 전자 주식회사 메모리 연구소)
  • Published : 2000.11.01
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Abstract

(Bi$_2$O$_2$)$^{2+}$층 사이에 두 개의 Ta-O 팔면체로 연결된 Bi 계의 층상 페로브스카이트 구조인 SrBi$_2$Ta$_2$O$_{9}$ (SBT) 박막을 XPS를 이용하여 깊이별 화학 상태 변화를 분석하였다. 아르곤 이온으로 SBT 박막을 식각하면, SBT 박막의 각 구성물들은 가속 Ar$^{+}$ 이온의 에너지에 따라 변화한다. SBT 각 구성물 중 Sr 3d의 화학 상태는 Ar$^{+}$ 이온의 에너지변화에 따라 근소하게 변화한다. 반면에, Ta 4f와 Bi 4f의 화학 상태 변화는 인가되는 Ar$^{+}$ 이온 에너지에 확실하게 의존한다. 특히, Bi 4f는 Sr과 Ta에 비해 낮은 Ar$^{+}$ 이온 에너지에서도 Bi-O의 화학 상태가 금속 Bi 화학 상태로 현저하게 변화한다. 이러한 SBT 박막의 화학 상태 변화는 산호 원자의 선택적인 식각 때문에 발생하며 선택적인 식각은 SBT 박막 내에서 각 구성물과 산소간의 질량 차이와 각 구성물의 열적 안정성에 의존함을 알 수 있다.

Keywords

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