The Synthesis of $Ti_3$$SiC_2$by Si Melt Infiltration

용융 Si 침윤에 의한 $Ti_3$$SiC_2$의 합성

  • 이승석 (한국과학기술연구원 복합기능세라믹스 연구센터) ;
  • 박상환 (한국과학기술연구원 복합기능세라믹스 연구센터) ;
  • 임병선 (한국과학기술연구원 복합기능세라믹스 연구센터) ;
  • 권혁보 (경남대학교 신소재공학부) ;
  • 정윤중 (명지대학교 공과대학 무기재료공학과)
  • Published : 2000.11.01

Abstract

Ti 및 C 입자로 이루어진 다공질 성형체에 용융 Si의 침윤 및 반응으로 새로운 Ti$_3$SiC$_2$합성공정이 개발되었다. 용융 Si 침윤에 의한 Ti$_3$SiC$_2$합성공정에서는 이제까지 연구된 합성방법 보다 넓은 조성 범위에서 Ti$_3$SiC$_2$의 합성이 이루어졌다. 용융 Si을 활성 매질로 사용한 Ti$_3$SiC$_2$의 합성에서는 성형체 조성, 원료 입자 크기 및 침윤되는 용융 Si의 양에 따라 합성되는 상 및 각 합성상의 양이 다르게 나타났다. Ti:Si:C=3:1:6 조성을 제외한 모든 조성의 시편에서 Ti$_3$SiC$_2$상이 합성되었으며, 일부 조성을 제외한 모든 조성의 시편에서 Ti$_3$SiC$_2$, TiC 및 SiC가 함께 합성되었다. 작은 Ti 입자로 이루어진 성형체를 사용하여 합성한 시편에서 Ti$_3$SiC$_2$상의 합성이 용이하게 이루어졌으며, 성형체 조성 및 침윤되는 Si의 양이 화학양론적으로 Ti$_3$SiC$_2$에 근접한 조성을 갖는 시편에서 Ti$_3$SiC$_2$를 높은 수율로 합성할 수 있었다.

Keywords

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