Abstract
We report spectroscopic ellipsometric (SE) measurements on $Cd_{1-x}Mg_x/Te$ (0$\leq$x$\leq$0.43) films grown on GaAs substrate. When compared with previous bulk data, at first, current spectrum shows clear interference oscillations below $E_0$ band gap energy, which means the transparent characteristic of direct transition material below $E_0$ edge. It proves that the film samples used for this work have the most interrupted surface of high quality reported so far by SE. Secondly the best resolution of $E_2$-peak is observed, so we can report clear splitting of E$_2$and $E_0'$ band gap energies. We also performed the multilayer calculation necessary to remove this interference oscillations to observe $E_0'$ band gap energy of $Cd_{1-x}Mg_x/Te$ (x=0.23) film.
MBE 법으로 GaAs 기판 위에 성장시킨 $Cd_{1-x}Mg_x/Te$ 박막시료를 조성비(x=0, 0.23, 0.43)에 따라 타원편광 분석기로 측정하여 연구하였다. 기존에 보고된 고상시료(bulk)의 결과와 비교한 결과, 첫째 $E_0$ 밴드갭 에너지 아래에서 나타나는 간섭무늬를 확인할 수 있었고, 이는 박막이 투명함을 보여주는 사실이며 그 결과 이번 시료의 우수성을 확인할 수 있었다. 둘째 $E_2$밴드갭 에너지 영역에서 종전의 고상시료에서 측정 발표된 값보다도 매우 높고 명확한 <$\varepsilon_2$> 값이 측정되어, $E_2$와 $E_0$' 밴드갭 에너지가 명확히 분리되는 것을 보았다. 간섭무늬를 제거하기 위해 다층구조계산(multilayer calculation)을 수행하여 x=0.23일 때의 $E_0$ 밴드갭 에너지를 볼 수 있었다.
