Abstract
SiC single crystals were grown in the various condition of growth pressure and temperature in the sublimation growth. We observed the growth step morphology and the shapes on the surface of as-grown crystals using an optical microscope, and characterized the co-relations among the growth parameters by adapting the Burton, Carbera and Frank theory(BCF theory)for nucleation and crystal growth.
승화법에 의하여, 여러 조건의 성장압력과 성장온도에서 SiC 단결정을 성장시켰다. 성장된 단결정을 광학현미경으로 관찰하여 성장 step의 형태와 양상을 관찰하였으며, 성장 step의 morphology와 결정 성장 인자와의 상호 연관성에 대하여, 핵생성과 결정성장에 관한 BCF 이론을 적용시켜 고찰하였다.
