초록
본 연구에서는 열벽 적층 성장법으로 GaAs(100) 기판 위에 $Zn_{1-x}Mn_{x}Te$ 에피층을 성장하여 그 특성을 조사하였다. $Zn_{1-x}Mn_{x}Te$ 에피층의 Mn 조성비는 x = 0.97까지 얻을 수 있었으며 성장된 시료의 결정구조는 징크브랜드이었다. 성장된 면은 GaAs (100) 기판과 동일한 방향으로 성장되었다. 성장시 기판 온도가 $350^{\circ}C$에서 $400^{\circ}C$로 증가함에 따라 Mn 조성비 x는 0.02에서 0.23으로 증가하였다. $Zn_{1-x}Mn_{x}Te$ 에피층의 격자상수는 Mn 조성비 x가 증가할수록 선형으로 증가하였고 띠 간격 에너지는 x에 대하여 비선형으로 증가하였다.
In this study, diluted magnetic $Zn_{1-x}Mn_{x}Te$ epilayers were grown on GaAs(100) substrates by hot-wall epitaxy, and their characteristics were systematically examined. The maximum Mn composition of the $Zn_{1-x}Mn_{x}Te$ epilayers was 0.97. The crystallographic orientation was toward <100> and the structure of the $Zn_{1-x}Mn_{x}Te$ epilayers was the zincblende structure, identical to those of the GaAs substrate. With increasing the substrate temperature (350~$400^{\circ}C$), Mn composition increased (0.02~0.23) and he quality of the epilayer became worse. The lattice constants increased linearly with increasing Mn composition, but the band gap energy increased nonlinearly with increasing x.
