초록
초음파분무를 이용한 MOCVD법으로 전도성 산화물 (Ba,Sr)RuO$_3$ 박막을 Si(100) wafer위에 제조하였다. XRD 측정 결과 BSR박막은 (110) 배향성을 가지고 성장하였으며 500$^{\circ}C$ 이상의 증착온도에서 결정성장이 양호하였다. Ba과 Sr의 조성비의 차이에 따라 AFM 측정결과 Ba에 대한 Sr의 비가 증가함에 따라 grain크기가 증가하였다. 또한 비저항의 측정을 통해 Ba에 대해 Sr의 비의 증가에 따라 BSR 박막의 비저항이 415에서 261$\mu$$\Omega$${\cdot}$cm로 감소하였다.
(Ba,Sr) $RuO_3$ thin films were fabricated on Si(100) wafer by metal organic chemical vapor deposition using ultrasonic spraying. When the substrate temperature was varied, the BSR thin films showed good crystallinity above 50$0^{\circ}C$ and showed (110) preferred orientation by X-ray diffraction measurements. The surface morphology, determined by atomic force microscopy, indicated that the grain size of BSR thin films depended strongly on the Ba/Sr ratio. With the increase in the amount of Sr relative to Ba, the resistivity of BSR films decreased fro m415 to 261 $\mu$$\Omega$${\cdot}$cm.