Journal of the Korean Ceramic Society (한국세라믹학회지)

The Korean Ceramic Society (한국세라믹학회)
권호 표지

Effect of Total Reaction Pressure on the Microstructure of the SiC Deposited Layers by Low Pressure Chemical Vapor Deposition

저압 화학증착법에 의한 SiC 증착층의 미세구조에 미치는 전체 반응압력의 영향

  • 박지연 (한국원자력연구소 기능성재료) ;
  • 이민용 (한국원자력연구소 기능성재료) ;
  • 김원주 (한국원자력연구소 기능성재료) ;
  • 김정일 (한국원자력연구소 기능성재료) ;
  • 홍계원 (한국원자력연구소 기능성재료) ;
  • 윤순길 (충남대학교 재료공학과)
  • Published : 2001.04.01
Download PDF
⟨ Previous Next ⟩

Abstract

저압 화학증착법으로 등방성 흑연 기판 위에 탄화규소 증착층을 제조하였다. 반응관 내부의 전체 반응압력(이하 반응압력)을 1.5torr-100torr로 변화시켜 증착층의 미세구조에 미치는 영향을 조사하였다. 120$0^{\circ}C$ 이하에서는 전체 반응압력 변화에 상관없이 일정하게 낮은 증착속도를 보였으며, 미세구조는 round-top 구조를 나타내었다. 125$0^{\circ}C$, 10torr를 기준으로 증착온도와 반응압력이 증가함에 따라 미세구조가 round-top 구조에서 angular, faceted 구조로 변하였으며, 이는 반응압력이 증가함에 따라 증착기구가 표면반응에서 물질전달로 전이하였기 때문이다.

Keywords

References

  1. EMIS dataviews Series No. 13 Properties of Silicon Carbide B. L. Weiss(ed.)
  2. Handbook of chemical vapor deposition H. O. Pierson
  3. Thin Films by Chemical Vapor Deposition C. E. Morosanu
  4. Solid State Tech. no.May Epitaxial Silicon Reactor Technology-A Review Part 1 : Reactor Technology M. L. Hammond
  5. Materials and Design v.14 no.2 Monolith β-SiC Parts Produced by CVD W. R. Haigis;M. A. Pickering
  6. 요업학회지 v.32 no.4 화학증착 탄화규소에 의한 흑연의 표면개질 연구-수평형 화학증착반응관에서 탄화 규소 성장특성 김동주;최두진;김영옥;박상환
  7. 요업학회지 v.35 no.7 H₂, N₂ 희석기체에 따른 화학증착 탄화규소의 성장거동 왕채현;최두진;박지연;홍계원;이영진
  8. 요업학회지 v.36 no.9 입력기체비를 이용한 미세구조 변화로부터 화학증착 탄화규소의 복층구조 제작 오정환;왕채현;최두진;송휴섭
  9. Thin Solid Films v.40 The Structure of Chemical Vapor Deposited Silicon Carbide J. Chin;P. K. Gantzel;R. G. Hudson
  10. J. Cryst. Growth v.155 Reactional Mechanism of the Chemical Vapour Deposition of SiC-based Ceramics from CH₃SiCl₃/H₂Gas Precursor F. Loumagne;F. Langlais;R. Naslain
  11. J. Am. Ceram. Soc. v.75 no.10 Depletion Effects of Silicon Carbide Deposition from Methyltrichlorosilane T. M. Besmann;B. W. Sheldon;T. S. MossⅢ;M. D. Kaster
  12. J. Cryst. Growth v.155 Experimental Kinetic Study of the Chemical Vapour Deposition of SiC-based Ceramics from CH₃SiCl₃/H₂Gas Precursor F. Loumagne;F. Langlais;R. Naslain
  13. J. Vac. Sci. Technol. v.A no.1 Growth and Structure of Chemical Vapor Deposited Silicon Carbide from Methyltrichlorosilane and Hydrogen in the Temperature range of 1100 to 1400℃ M. G. So;J. S. Chun
  14. J. Electrochem. Soc. v.143 no.5 In Situ Optical Analysis of the Gas Phase during the Deposition of Silicon Carbide from Methyltrichlorosilane M. Ganz;N. Dorval;M. Lefebvre;M. Pealat