Crystal Growth of Yb:YAG and Fabrication of Microchip Laser Device

Yb:YAG 단결정 성장과 마이크로칩 레이저 소자 제조

  • 이성영 (LG 실트론 기초연구소) ;
  • 김충렬 (충남대학교 재료공학과) ;
  • 김도진 (충남대학교 재료공학과) ;
  • 정석종 (한국화학연구소 화학공정연구센터) ;
  • 유영문 (한국광기술원 광제품기술연구부)
  • Published : 2001.08.01

Abstract

용액인상법으로 질소분위기 하에서 Yb$^{3+}$ 이온이 각각 5, 15, 25 at% 치환된 Yb:Y$_3$Al$_{5}$ O$_{12}$ (Yb:YAG) 단결정을 이리듐 도가니를 사용하여 성장시켰다. 양질의 단결정을 성장시키기 위한 인상속도와 회전속도는 각각 2mm/h와 10rpm이었다. 흡수 및 형광스펙트럼 측정결과, Yb$^{3+}$ 이온의 농도가 높아짐에 따라 흡수계수가 선형적으로 증가하였고, 1051nm 파장을 중심으로 1020~1050nm 영역에서 선폭이 확대된 강한 형광스펙트럼을 나타내었다. 한편, 성장된 단결정을 이용하여 마이크로칩 레이저용 소자를 정밀하게 제조하였다.

Keywords

References

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