Boundary Element Analysis for Edge Cracks at the Bonding Interface of Semiconductor Chip

반도체 칩 접착계면의 모서리 균열에 대한 경계요소 해석

The stress intensity factors for edge cracks located at the bonding interface between the semiconductor chip and the adhesive layer subjected to a uniform transverse tensile strain are investigated. Such cracks might be generated due to a stress singularity in the vicinity of the free surface. The boundary element method (BEM) is employed to investigate the behavior of interface stresses. The amplitude of complex stress intensity factor depends on the crack length, but it has a constant value at large crack lengths. The rapid propagation of interface crack is expected if the transverse tensile strain reaches a critical value.

반도체 칩과 얇은 접착제충의 계면에 존재하는 모서리 균열에 횡방향 인장변형률이 작용하는 경우에 대해 응력확대계수를 조사하고 있다. 이러한 균열들은 자유 경계면 부근에 존재하는 응력 특이성으로 인해 발생할 수 있다. 계면 응력상태를 해석하기 위해서 경계요소법이 사용되고 있다. 복합 응력확대계수의 크기는 균열의 크기에 의존하지만, 균열이 커지면 일정한 값에 수렴한다. 횡방향 인장변형률이 임계값에 도달하면, 계면 균열은 빠르게 전파되리라고 예상된다.