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Anti-reflection coating on the facet of a spot size converter integrated laser diode using a pair of TiO2 and SiO2 thin films

TiO2와 SiO2 박막 쌍을 이용한 광모드 변환기가 집적된 반도체 레이저 단면의 무반사 코팅

  • 송현우 (한국전자통신연구원 반도체원천기술연구소) ;
  • 김성복 (한국전자통신연구원 반도체원천기술연구소) ;
  • 심재식 (한국전자통신연구원 반도체원천기술연구소) ;
  • 김제하 (한국전자통신연구원 반도체원천기술연구소) ;
  • 오대곤 (한국전자통신연구원 반도체원천기술연구소) ;
  • 남은수 (한국전자통신연구원 반도체원천기술연구소)
  • Published : 2002.10.01

Abstract

Using a bi-layer anti-reflection coating of $TiO_2$and $SiO_2,$ we have achieved a minimum facet reflectivity of $~10^{-5}$ and a band width of 27 nm for a reflectivity of $~10^{-4}$ or less for 1.3 $\mu\textrm{m}$ spot size converter integrated semiconductor lasers. This coating is applicable to external-cavity-tuned laser sources and semiconductor optical amplifiers.

전자선 증착기를 이용하여 1.3$\mu\textrm{m}$ 광모드 변환기가 집적된 반도체 레이저 출력 단면에 $SiO_2$$TiO_2$ 두 개의 박막 층으로 무반사 증착 하였다. 증착 단면의 최소 단면 반사율 $~ 10^{-5}$을 얻었고, $~ 10^{-4}$이하 단면 반사율 밴드 폭은 약 27nm임을 측정하였다. 이러한 코팅은 외부 공진기 레이저 광원 및 반도체 광 증폭기 등에 응용 가능하다.

Keywords

References

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