Abstract
The microstructures of tungsten films were controlled by changing the sputtering pressure and substrate temperatures during D.C. sputter deposition. As the sputtering pressures were decreased, the sputtered models of the tungsten films were changed from the zone I model to zone T model. The tungsten film having zone T model microstructure shows a resistivity of 10${\times}$10$\^$-6/ $\Omega$-cm and (110) preferred orientation. FBAR with Bragg reflector composed of $SiO_2$and tungsten films having zone T model microstructure shows quality factor, Q$\_$s/, of 494 and K$\_$eff/$\^$2/ of 5.5% due to the high acoustic impedance and the smooth surface.
직류 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 증착압력과 기판온도변화에 따른 텅스텐 박막의 미세구조 변화에 대하여 연구하였다. 기판온도 40$0^{\circ}C$에서 증착 압력의 감소에 따라 텅스텐 박막의 미세구조가 zone I에서 zone T로 변화하였다. 텅스텐 박막의 미세구조 비저항과 결정배향성은 상관관계를 보였으며. 미세구조가 zone T 영역에서 낮은 비저항(10$\times$$10^{-6}$ $\Omega$-cm) 과 99%의 (110)면 우선 배향성을 나타내었다. zone T 영역에 해당하는 미세구조를 지니는 텅스텐 박막을 이용한 박막형 공진기는 텅스텐 박막의 높은 탄성저항과 매끈한 표면으로 인해 494의 $Q_{s}$와 5.50%의 $K_{eff}$$^{2}$ 값의 우수한 공진특성을 보였다....
