Growth and characterization of 240kg multicrystalline silicon ingots grown by directional solidification

방향성 응고법으로 성장된 대형(240kg) 다결정 규소 잉곳의 성장 및 특성평가

  • 김정민 (인천대학교 신소재공학과) ;
  • 김영관 (인천대학교 신소재공학과)
  • Published : 2003.08.01

Abstract

The photovoltaic industry has been forced to lower the production cost in many ways. Ingot preparation technology is growing rapidly toward large-scale production. Multicrystalline silicon ingot of 69 cm square cross section, 240kg has been produced with fully automated equipment. During solidification, heat has been extracted from the bottom of the crucible through the graphite pedestal moving downward. The characteristics of the large ingot grown in this method are found to be uniform structurally and electrically.

태양전지의 제조가격의 저가화를 위한 노력이 다각적으로 진행되고 있다. 이중에 하나가 규소 잉곳의 대형화이다. 가로 세로 69cm무게 240kg의 초대형 규소 잉곳을 자동화된 결정성장로를 이용하여 제조하였다. 이 방법은 규소 용체의 열을 하부 흑연 기판을 아래로 이동하면서 축출함으로써 방향성 응고를 유도하고 있다. 이 방법으로 제조된 규소 잉곳을 평가하여 본 결과 전기적, 구조적으로 매우 균일하고 태양전지의 제조에 적합한 것으로 판명되었다.

Keywords

References

  1. $26^ {th}$IEEE Photovoltatic Specialists Conference Growth and characterization of 200 kg multicrysstalline silicon ingots by HEM Chandra.P.Khattak;Schmid
  2. IEEE Transaction on Devices v.46 Advanced manufacturing concepts for crystalline silicon solar cells Johan F.Nijs;Jozef Szlufcik;Jozef Poortmans;S.Sivothhtaman;Robett P.Mertens
  3. Solar Energy Materials and Solar Cell v.48 Overview of solar cell technologies and results on high efficiency multicrystalline silicon substrates J.Nijs;S.Sivoththaman;J.Szlufcik;K De Clercq;F.Duerinckx;E,Van Kerschaever;R.Einhaus;Tom Vermeulen;R.Mertens
  4. Fifteen IEEE PVSC Characterization of HEM silicon for solar cell K.A.Duman;C.P.Khattak;F.Schrnid
  5. Seniconductor silicon crystal technology F.Shimura