Abstract
The characteristics of interface layer and the effect of bias voltages on the nucleation density and heteroepitaxial growth of diamond films were studied in the hot filament CVD diamond process. Diamond films were deposited on a high speed steel (SKH-51) substrate by bias-assisted hot filament CVD technique with a titanium interlayer. The bias applied for enhancing the emission of electrons from the filament increased the nucleation density and achieving heteroepitaxial growth of CVD diamond. Diamond films obtained at a gas pressure of 20 torr; a bias voltage of 200 V and a substrate temperature of $700^{\circ}C$. Titanium was a suitable element as an interlayer for the diamond deposition on steel because it has high diffusivity of Fe and C as a carbide forming element.
Bias 인가된 hot filament CVD 방법을 이용해 티타늄을 RF sputtering 법으로 고속도강에 피복하여 중간 층으로 한 후 다이아몬드 박막을 피복할 때 bias 전압의 영향과 계면 층의 특성을 조사하였다. 다이아몬드 증착 시 bias가 인가될 경우 필라멘트에서 전자 방출이 촉진되어 다이아몬드 핵생성과 성장을 촉진시켰으며 본 실험에서의 최적 증착 조건은 증착 압력 20 torr, bias 인가전압 200V, 기판온도 $700^{\circ}C$로 나타났다. 강에의 다이아몬드 박막 형성 시 중간 층으로서의 티타늄은 Fe 및 C에 대한 확산도가 높고 탄화물 형성 원소이므로 다이아몬드 핵생성 및 성장에 적합한 원소로 나타났다.