Abstract
A MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit) mixer chip using the schottky diode of InGaAs/CaAs p-HEMT process has been developed for receiver down converter of Ka-band. A different approach of MMIC mixer structure is applied for reducing the chip size by the exchange of ports between IF and LO. This MMIC covers with RF (30.6∼31.0㎓)and IF (20.8∼21.2㎓). According to the on-wafer measurement, the MMIC mixer with miniature size of 3.0mm1.5mm demonstrates conversion loss below 7.8㏈, LO-to-RF isolation above 27㏈, LO-to-IF isolation above 19㏈ and RF-to-IF isolation above 39㏈, respectively.
본 논문에서는 TRW사의 InGaAs/GaAs p-HEMT 공정의 쇼트키 다이오드를 이용하여 Ka대역용 하향수신변환기에 이용할 수 있는 MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit) 주파수 혼합기를 설계 및 제작하였다. RF는 30.6∼31.0 ㎓이고 LO 9.8 ㎓를 이용하여 IF 20.8∼21.2 ㎓를 얻을 수 있는 본 MMIC 주파수 혼합기는 발룬의 크기를 줄이기 위해 LO와 IF 단자를 서로 바꾸어 설계함으로써 전체 회로의 크기를 줄일 수 있었다. 제작된 MMIC 주파수 혼합기의 크기는 3000umx1500um이며 on-wafer 측정 결과 대역 내에서 7.8㏈ 이하의 변환손실을 얻었다. 또한 27㏈ 이상의 LO-RF 격리도, 19㏈ 이상의 LO-IF 격리도 및 39㏈ 이상의 RF-IF 격리도를 각각 얻었다.
