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Nanofabrication of InP/InGaAsP 2D photonic crystals using maskless laser holographic method

레이저 홀로그래피 방법과 반응성 이온식각 방법을 이용한 InP/InGaAsP 광자 결정 구조 제작

  • 이지면 (국립순천대학교 신소재응용공학부 재료ㆍ금속공학전공) ;
  • 이민수 (국립상주대학교 신소재공학) ;
  • 이철욱 (한국전자통신연구원 기반기술연구소 광통신소자연구) ;
  • 오수환 (한국전자통신연구원 기반기술연구소 광통신소자연구) ;
  • 고현성 (한국전자통신연구원 기반기술연구소 광통신소자연구) ;
  • 박상기 (한국전자통신연구원 기반기술연구소 광통신소자연구) ;
  • 박문호 (한국전자통신연구원 기반기술연구소 광통신소자연구부)
  • Published : 2004.08.01

Abstract

Two-dimensionally arrayed nanocolumn lattices were fabricated by using double-exposure laser holographic method. The hexagonal lattice was formed by rotating the sample with 60 degree while the square lattice by 90 degree before the second laser-exposure. The size and period of nanocolumns could be controlled accurately from 125 to 145 nm in diameter and 220 to 290 nm in period for square lattice by changing the incident angle of laser beam. The reactive ion etching for a typical time of 30 min using CH$_4$/H$_2$ plasma enhanced the aspect-ratio by more than 1.5 with a slight increase of the bottom width of columns.

레이저 홀로그래피 방법과 반응성 이온식각 방법(RIE: reactive ion etching)을 사용하여 2차원 광자결정을 제작하였다. 육변형(hexagonal) 및 사변형(square) 광자결정 격자는 첫 번째 레이저 노광 후 시편을 각각 60도 및 90도 회전하고 다시 두 번째 노광을 통하여 제작할 수 있었다. 또한 사변형 광자결정 격자의 나노컬럼(nanocolumn)의 크기와 주기는 레이저 입사각에 따라 각각 125∼145 nm, 220∼290 nm로 미세한 조정이 가능하였다. 마지막으로 CH$_4$/H$_2$ 가스를 이용한 반응성 이온식각 방법을 통하여 aspect ratio가 1.5 이상인 InP/InGaAsP nanocolumn을 제작 할 수 있었다.

Keywords

References

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