Development of optical transmission module for VCSEL

수직 공진형 표면 발광 레이저용 광전송 모듈 개발

  • 조경재 ((주)골드텔 광기술연구소) ;
  • 정준호 ((주)골드텔 광기술연구소) ;
  • 이재수 ((주)골드텔 광기술연구소)
  • Published : 2004.11.01

Abstract

The recent trend of information communication is to focus on improving communication services in order to satisfy the customer's desire for various information. Optical transducers of Local Area Network use 850nm or 1310nm among wavelength ranges and LD as a light source. However, Vertical Cavity Surface Emitting Laser(VCSEL) which is very excellent to deal with data processing is used at long wavelength or Gbps. In this paper, after basic optical characteristics were introduced a optical transmission module was developed to be operated over GHz and its transmission characteristics were analyzed at 2.5GHz and 3GHz with pulse pattern generator.

최근 정보통신의 흐름은 사용자의 다양한 정보 욕구를 만족시키기 위한 통신 서비스의 개발에 주력하고 있다. 근거리망의 통신에 광송신 모듈은 850nm, 1310nm의 파장대역을 사용하며, 광원의 구조는 LD를 사용하였지만, 장파장 및 Gbps급에서는 데이터 처리 능력이 뛰어난 수직공진형 표면발광 레이저(Vertical Cavity Surface Emitting Laser : VCSEL)을 많이 사용한다. 본 연구에서는 기본적인 광특성을 분석한 후 GHz급 이상에서 동작이 가능하도록 광전송 모듈을 개발하고 펄스 패턴 발생구를 이용하여 2.5GHz, 3GHz에서의 전송 특성을 분석하였다.

Keywords

References

  1. M. Born and E. Wolf, 'Principles ofOptics', Pergamon Press, New York, p69(2000)
  2. J. W. Scott, S. W. Corizne, D. B. Young,and L. A. Coldren, 'Modeling the currentto light characteristics of index-guidedvertical-cavity surface-emitting lasers', Appl.Phys. Lett. 62(10), 1050-1052(1993) https://doi.org/10.1063/1.108791
  3. W. W. Chow, K. D. Choquette, M. H.Crswford, K. L. Lear, and G. R. Hadley,'Design, fabrication, and performance ofinfrared and visible vertical-cavitysurface-emitting lasers', IEEE J. Quantum. Electron. 33, 1810-1824(1997) https://doi.org/10.1109/3.631287
  4. Y. G. Ju, V. H. Lee, H. K. Shin, and I. Kim,'Strong polarization selectivity in 780 nmvertical-cavity surface-emitting lasers grownon miss-oriented substrates', Appl. Phys.Lett. 71(6), 741-743 (1993)
  5. Y. H. Lee, B. Tell, K. Brown-Goebeler, J. L.Jewell, and J. V. Hove, 'Top-surface-emitting GaAs four-quantum-well lasersemitting at 0.85/$\mu{m}$'. Electron. Lett. 26(11),710-711(1990) https://doi.org/10.1049/el:19900463