Journal of the Microelectronics and Packaging Society (마이크로전자및패키징학회지)

The Korean Microelectronics and Packaging Society (한국마이크로전자및패키징학회)
권호 표지

Interconnection Processes Using Cu Vias for MEMS Sensor Packages

Cu 비아를 이용한 MEMS 센서의 스택 패키지용 Interconnection 공정

  • Park, S.H. (Materials Science and Engineering, Hongik University) ;
  • Oh, T.S. (Materials Science and Engineering, Hongik University) ;
  • Eum, Y.S. (Materials Science and Engineering, Hongik University) ;
  • Moon, J.T. (SOP Technology Team, IT Convergence & Components Laboratory(ICCL) Electronics and Telecommunications Research Institute)
  • 박선희 (홍익대학교 신소재공학과) ;
  • 오태성 (홍익대학교 신소재공학과) ;
  • 엄용성 (홍익대학교 신소재공학과) ;
  • 문종태 (한국전자통신연구원 IT 용합부품연구소 SOP 연구팀)
  • Published : 2007.12.30
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Abstract

We investigated interconnection processes using Cu vias for MEMS sensor packages. Ag paste layer was formed on a glass substrate and used as a seed layer for electrodeposition of Cu vias after bonding a Si substrate with through-via holes. With applying electrodeposition current densities of $20mA/cm^2\;and\;30mA/cm^2$ at direct current mode to the Ag paste seed-layer, Cu vias of $200{\mu}m$ diameter and $350{\mu}m$ depth were formed successfully without electrodeposition defects. Interconnection processes for MEMS sensor packages could be accomplished with Ti/Cu/Ti line formation, Au pad electrodeposition, Sn solder electrodeposition and reflow process on the Si substrate where Cu vias were formed by Cu electrodeposition into through-via holes.

Cu 비아를 이용한 MEMS 센서의 스택 패키지용 interconnection 공정을 연구하였다. Ag 페이스트 막을 유리기판에 형성하고 관통 비아 홀이 형성된 Si 기판을 접착시켜 Ag 페이스트 막을 Cu 비아 형성용 전기도금 씨앗층으로 사용하였다. Ag 전기도금 씨앗층에 직류전류 모드로 $20mA/cm^2$와 $30mA/cm^2$의 전류밀도를 인가하여 Cu 비아 filling을 함으로써 직경 $200{\mu}m$, 깊이 $350{\mu}m$인 도금결함이 없는 Cu 비아를 형성하는 것이 가능하였다. Cu 비아가 형성된 Si 기판에 Ti/Cu/Ti metallization 및 배선라인 형성공정, Au 패드 도금공정, Sn 솔더범프 전기도금 및 리플로우 공정을 순차적으로 진행함으로써 Cu 비아를 이용한 MEMS 센서의 스택 패키지용 interconnection 공정을 이룰 수 있었다.

Keywords