한국자기학회지 (Journal of the Korean Magnetics Society)

  • 제18권6호
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  • Pages.227-231
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  • 2008
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  • 1598-5385(pISSN)
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  • 2233-6648(eISSN)
한국자기학회 (The Korean Magnetics Society)
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CoFeZr 합금박막의 미세구조, 자기적 특성 및 비정질 CoFeZr 합금박막을 사용한 스핀밸브의 자기저항 특성에 관한 연구

Magnetic and Structural Properties of CoFeZr Alloy Films and Magnetoresistive Properties of Spin Valves Incorporating Amorphous CoFeZr Layer

  • 안황기 (고려대학교 신소재공학부) ;
  • 박대원 (고려대학교 신소재공학부) ;
  • 김기수 (고려대학교 신소재공학부) ;
  • 이성래 (고려대학교 신소재공학부)
  • Ahn, Whang-Gi (Department of Materials Science and Engineering, Korea University) ;
  • Park, Dae-Won (Department of Materials Science and Engineering, Korea University) ;
  • Kim, Ki-Su (Department of Materials Science and Engineering, Korea University) ;
  • Lee, Seong-Rae (Department of Materials Science and Engineering, Korea University)
  • 발행 : 2008.12.31
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초록

Zr 함량에 따르는 CoFeZr의 합금박막의 구조 및 자기적 특성, 그리고 비정질 CoFeZr을 사용한 스핀밸브의 자기저항 및 열적 안정성에 관하여 연구하였다. Zr 조성이 증가함에 따라 CoFeZr 합금 박막의 포화자기장 및 보자력은 감소하며 완전히 비정질이 형성되었을때 보자력은 최소 값을 보였다. Zr의 함량이 약 18 at% 이상일 때 완전한 비정질이 형성되었다. 비정질 CoFeZr을 스핀밸브에 적용하였을 때 기존의 CoFe을 사용한 스핀밸브보다 자기저항비와 교환결합력은 약간 감소하는 경향을 확인 하였다. 이는 비정질 자성체의 상대적으로 높은 저항값에 기인하였다. 그러나 ${\Delta}{\rho}$, 즉 스핀의존산란은 향상되었다.

Magnetic and structural properties of CoFeZr alloy films as a function of Zr concentration and magnetoresistive properties of spin valves incorporated with amorphous CoFeZr alloy films have been studied. Magnetization and coercivity of CoFeZr alloy films decreased as the Zr content increased. A single amorphous CoFeZr phase was formed when the Zr content is about above 18 at%. Magnetoresistance ratio and exchange coupling field of spin valves with amorphous CoFeZr were reduced slightly as compared with spin valves with CoFe because the resistance of amophous CoFeZr is higher than that of crystalline CoFe. However, the ${\Delta}{\rho}$ of spin valves with amorphous CoFeZr was improved due to reduction of current shunting.

키워드

참고문헌

  1. M. Takiguchi, S. Ishii, E. Makino, and A. Okabe, J. Appl. Phys., 87, 2469 (2000) https://doi.org/10.1063/1.372204
  2. G. W. An derson, M. Pakala, and Y. Huai, IEEE Trans. Magn., 36, 2605 (2000) https://doi.org/10.1109/20.908530
  3. K. Aoshima, H. Kanai, T. Miyajima, and J. Kane, J. Appl. Phys., 85, 5042 (1999) https://doi.org/10.1063/1.370085
  4. H. Iwasaki, A. T. Saito, and M. Sahashi, IEEE Trans. Magn., 33, 2875 (1997) https://doi.org/10.1109/20.617783
  5. H. Li, P. P. Freitas, Z. Wang, J. G. Sousa, P. Gogol, and J. Chanpman, J. Appl. Phys., 89, 6904 (2001) https://doi.org/10.1063/1.1354581
  6. M. Pakala, Y. Huai, G. Andersion, and L. Miloskavsky, J. Appl. Phys., 91, 6653 (2003)
  7. J. Van Driel, R. R. De Boer, and K.-M, H. Kyder, J. Appl. Phys., 87, 6784 (2000)
  8. A. J. Devasahayam, P. J. Sides, and M. H. Kyder, J. Appl. Phys., 83, 7216 (1999) https://doi.org/10.1063/1.367550
  9. K. Yagami, M. Tsunode, and M. Takahashi, J. Appl. Phys., 89, 6609 (2002) https://doi.org/10.1063/1.1357146
  10. T. Feng and J. R. Childress, J. Appl. Phys., 85, 4937 (1999) https://doi.org/10.1063/1.370051
  11. P. M. Baurngart, B. Dieny, B. A. Gurney, J.-P. Noziers, V. S. Speriosu, and D. R. Wilhoit, U. S. Patent 5, 287, 238
  12. K. Yagami, M. Tsunoda, and M. Takahashi, J. Appl. Phys., 89, 6609 (2001) https://doi.org/10.1063/1.1357146
  13. H. Sakakima, M. Satomi, Y. Irie, and Y. Kawawake, J. Mang. Mang. Mater., 165, 108 (1997) https://doi.org/10.1016/S0304-8853(96)00482-9
  14. M. Fujita, K. Ynmano, A. Maeda, T. Tanuma, and M. Kume, J. Appl. Phys., 81, (8) (1993)
  15. H. G. Cho, Y. K. Kim, and S.-R. Lee, J. Appl. Phys., 91, 8581 (2002)
  16. B. S. Chun, Seong-Rae Lee, and Y. K. Kim, J. of Magnetics, 9, 13 (2004) https://doi.org/10.4283/JMAG.2004.9.1.013
  17. Y. K. Kim, S.-R. Lee, S. A. Song, G.-S. Park, H. S. Yang, and K.-I. Min, J. Appl. Phys., 89, 6907 (2001) https://doi.org/10.1063/1.1361260