Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD (대한전자공학회논문지SD)

The Institute of Electronics and Information Engineers (대한전자공학회)
권호 표지

Analysis Algorithm for Memory BISR as Imagination Zone

가상 구역에 따른 메모리 자가 치유에 대한 분석 알고리즘

  • 박재흥 (숭실대학교 컴퓨터학과) ;
  • 심은성 (숭실대학교 컴퓨터학과) ;
  • 장훈 (숭실대학교 컴퓨터학부)
  • Published : 2009.12.25
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Abstract

With the advance of VLSI technology, the capacity and density of memories are rapidly growing. In this paper we proposed MRI (Memory built-in self Repair Imagination zone) as reallocation algorithm. All faulty cells of embedded memory are reallocated into the row and column spare memory. This work implements reallocation algorithm and BISR to verify its design.

최근 VLSI 회로 직접도가 급속도로 증가함에 따라 하나의 시스템 칩에 고밀도와 고용량의 내장 메모리(Embedded Memory)가 구현되고 있다. 고장난 메모리를 여분 메모리(Spare Memory)로 재배치함으로써 메모리 수율 향상과 사용자에게 메모리를 투명하게 사용할 수 있도록 제공할 수 있다. 본 논문에서는 고장난 메모리 부분을 여분 메모리의 행과 열 메모리 사용으로 고장난 메모리를 고장이 없는 메모리처럼 사용할 수 있도록 여분 메모리 재배치 알고리즘인 MRI를 제안하고자 한다.

Keywords

References

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