Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering (한국정보통신학회논문지)

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Analysis of Threshold Voltage Characteristics for FinFET Using Three Dimension Poisson's Equation

3차원 포아송방정식을 이용한 FinFET의 문턱전압특성분석

  • Published : 2009.11.30
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Abstract

In this paper, the threshold voltage characteristics have been analyzed using three dimensional Poisson's equation for FinFET. The FinFET is extensively been studing since it can reduce the short channel effects as the nano device. We have presented the short channel effects such as subthreshold swing and threshold voltage for PinFET, using the analytical three dimensional Poisson's equation. We have analyzed for channel length, thickness and width to consider the structural characteristics for FinFET. Using this model, the subthreshold swing and threshold voltage have been analyzed for FinFET since the potential and transport model of this analytical three dimensional Poisson's equation is verified as comparing with those of the numerical three dimensional Poisson's equation.

본 연구에서는 3차원 포아송방정식을 이용하여 FinFET의 문턱전압특성을 분석하였다. FinFET는 차세대 나노소자로서 단채널효과를 감소시킬 수 있다는 장점 때문에 많은 연구가 진행중에 있다. 이에 FinFET에서 단채널효과로서 잘 알려진 문턱 전압이하 스윙 및 문턱 전압 등을 3차원 포아송방정식의 분석학적 모델로 분석하고자 한다. 나노소자인 FinFET의 구조적 특성을 고찰하기 위하여 채널의 두께, 길이, 폭 등의 크기요소에 따라 분석하였다. 본 논문에서 사용한 분석학적 3차원 포아송방정식의 포텐셜모델 및 전송모델은 여러 논문에서 3차원 수치해석학적 값과 비교하여 그 타당성이 입증되었으므로 이 모델을 이용하여 FinFET의 문턱전압특성 및 문턱전압이하 특성을 분석하였다.

Keywords

References

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