한국고분자학회지:고분자과학과기술 (Polymer Science and Technology)
- 제20권5호
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- Pages.472-480
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- 2009
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- 1225-0260(pISSN)
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- 2586-1476(eISSN)
반도체 나노 패터닝 구현 재료: Spin 코팅 Hardmask용 유기실리콘 및 고탄소 물질
Materials for Nano Patterning in Semiconductor Fabrication; Organosilicon and High Carbon-containing Materials for Spin Coating Hardmask
- 조현모 (제일모직 전자재료연구소) ;
- 전환승 (제일모직 전자재료연구소) ;
- 김상균 (제일모직 전자재료연구소) ;
- 장두원 (제일모직 전자재료연구소) ;
- 김종섭 (제일모직 전자재료연구소)
- Cho, Hyeon-Mo (Electronic Chemical Materials R&D Center, Samsung Cheil Industries Inc.) ;
- Cheon, Hwan-Sung (Electronic Chemical Materials R&D Center, Samsung Cheil Industries Inc.) ;
- Kim, Sang-Kyun (Electronic Chemical Materials R&D Center, Samsung Cheil Industries Inc.) ;
- Chang, Tu-Won (Electronic Chemical Materials R&D Center, Samsung Cheil Industries Inc.) ;
- Kim, Jong-Seob (Electronic Chemical Materials R&D Center, Samsung Cheil Industries Inc.)
- 발행 : 2009.10.25
초록
반도체 미세화가 진행되면서, 이를 성공하기 위해 많은 재료물질이 요구되어진다. 이 중 미세 패턴의 붕괴를 막고 깊은 패턴을 새기기 위해서 필요한 hardmask 재료가 있다. Hardmask는 유기실리콘 재료와 탄소 함량이 높은 재료로 주로 구성되고, 이들은 193 nm 빛과 관련된 광학적 특성을 가지면서 특정 플라즈마에 대한 에치 저항성을 가지는 물성을 가지도록 디자인/합성/배합되어져 있다. 또한, 접합되는 다른 박막과의 compatibility및 용매에 대한 solubility 등이 적절해야만 나노미터 수준의 defect 없는 패턴을 구현할 수 있다.
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